PMGD280UN,115

PMGD280UN,115 产品概述

一、产品简介

PMGD280UN,115 是一款由安世（Nexperia）制造的双N沟道场效应管（MOSFET），采用紧凑型的6-TSSOP封装。该产品的设计目标是满足各种逻辑电平的开关应用需求，同时其优异的电性能使其适用于多个领域，包括但不限于便携式设备、无源组件控制、以及低功耗电源管理系统。

二、主要特点

1. 电源特性

   • 漏源电压 (Vdss)：20V，意味着该MOSFET可以安全地在高达20V的电压下操作，适合大多数低电压应用。
   • 连续漏极电流 (Id)：870mA（25°C时），使产品能够满足大多数中低功率应用的电流需求。

2. 导通性能

   • 漏源导通电阻 (Rds(on))：340mΩ @ 200mA, 4.5V，低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高整体能效。
   • 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：1V @ 250µA，确保MOSFET能够在逻辑电平下有效驱动，进一步增强了其在数字电路中的应用灵活性。

3. 开关特性

   • 栅极电荷 (Qg)：0.89nC @ 4.5V，低栅极电荷促使该器件在高频开关应用中表现出良好的开关速度，能够降低开关损耗。
   • 输入电容 (Ciss)：45pF @ 20V，合理的输入电容设计促进快速响应，使其适合高频应用。

4. 封装与温度

   • 封装类型：6-TSSOP，紧凑的设计使其适合空间受限的应用。
   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，使该MOSFET适合各种严苛环境下的应用，具备良好的温度稳定性。

5. 功率特性

   • 最大功率耗散：400mW，在温度环境下能够有效耐受热量，确保长期稳定工作。

三、应用场景

PMGD280UN,115 由于其优越的电气特性和封装设计，适用于以下领域：

• 便携式电子设备：由于其低功耗特性，适合用于便携式设备中的电源管理以及负载开关，能够延长设备的使用时间。
• 无线通信：可用于小型的无线传输设备，在信号的开关和调节方面有重要应用。
• 家用电器：适合应用于各种小型家用电器，能在未确定负载或通断情况下保持良好的工作状态。
• 电动汽车：在电动汽车的电源管理系统中可用于高效控制电池和电机之间的能量交换。
• 机器人技术与自动化设备：可以用于执行器的驱动，响应速度快，具备良好的开关特性。

四、总结

PMGD280UN,115 结合了优异的电气性能、紧凑的封装以及宽广的工作温度范围，是一款适合多种应用的高效双N沟道MOSFET。其在便携设备、无源开关和电源管理领域的应用显示出其设计上的灵活性和高效性。由于这些特性，安世的PMGD280UN,115 成为设计工程师在实现高性能和低功耗电路设计时值得信赖的选择。