类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 250mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@4.5V,150mA |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 30pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
RSC002P03T316 是由ROHM公司生产的一种高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用SOT-23(SST3)封装。该元器件旨在高效控制电流,广泛适用于各种电子应用,特别是在低功率电源管理、电机驱动器和开关控制电路中。
导通电阻:在10V和250mA条件下,最大导通电阻小于或等于1.4Ω,确保在驱动负载时能有效降低功耗,提高电路的能效。这一特性非常重要,尤其是在电池供电的设备中,可以延长设备的使用寿命。
驱动电压:该元器件支持的最小和最大驱动电压为4V和10V,适应多种工作环境和控制信号。这为设计师提供了更大的灵活性,可以根据不同的工作条件进行调整。
额定电流与功率:RSC002P03T316 的最大连续漏极电流(Id)为250mA,功率耗散上限为200mW,这使其适合用于各种小型电子产品以及需要高效散热管理的应用。
电压特性:漏源电压(Vdss)最大为30V,结合较高的工作温度(最高可达150°C),使其适用于苛刻的工作条件,如汽车电子和工业控制系统。
门极-源极电压(Vgs):该MOSFET的Vgs最大为±20V,提供了广泛的电压范围,确保其在不同的电势条件下仍能可靠工作。
输入电容:在10V下的最大输入电容(Ciss)为30pF,表明在高频应用中,该器件能够快速开关,为系统提供必要的响应速度。
阈值电压:不同Id下,Vgs(th)的最大值为2.5V(@1mA),表明该MOSFET对控制信号的敏感度,能够在较低的门极电压下实现导通,提高了设计的灵活性。
RSC002P03T316的特性非常适合以下领域的应用:
电子开关:可以用作各种开关电路,提高开关效率,降低功耗。
电源管理:在DC-DC转换器或电池管理系统中充当开关,控制电流流动,优化电源使用率。
小型电机控制:适合用于微型电机驱动中,实现精确控制和高效输出。
便携式设备:由于其低功耗特性,RSC002P03T316非常适合用于智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中。
RSC002P03T316是一款高效能、高稳定性的P沟道MOSFET,凭借其出色的电气性能和适应性,广泛应用于各种电子设计中。无论在电源管理、开关控制,还是在电机驱动应用中,RSC002P03T316都能提供理想的性能,帮助设计师实现更高效的电路设计。ROHM作为知名的半导体制造商,其产品的质量和性能有保障,为用户的设计提供了强有力的支持。
总之,RSC002P03T316不仅是实现现代电子设备高效、可靠运作的理想选择,更是推动科技进步的重要元件。