类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,4.8A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.6nC@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2371EDS-T1-GE3 是 VISHAY(威世)推出的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计用于广泛的电子应用,包括电源管理、开关电源电路和负载开关等领域。凭借其低漏源导通电阻、广泛的工作温度范围和高的电流承载能力,SI2371EDS-T1-GE3 是设计师在选择合适的MOSFET时的理想选择。
漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为30V,适合各种低压应用。
连续漏极电流 (Id): 该MOSFET在25°C环境下的连续漏极电流为4.8A,支持高功率需求的应用。
导通电阻 (Rds(on)): SI2371EDS-T1-GE3 的漏源导通电阻为45mΩ(在3.7A、10V时),这意味着其在开关状态下的能量损耗相对较低,能够提高整体系统的效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 其栅源极阈值电压为1.5V(在250µA时),允许在较低的栅电压下启动,从而可实现低功耗特性。
最大功率耗散: 器件可以在环境温度25°C下承受1W的功率耗散,而在晶体管结温情况下(Tc)可承受最大1.7W,确保器件在高负载条件下不会过热。
工作温度范围: SI2371EDS-T1-GE3 的工作温度范围为-55°C到150°C,适应多种恶劣工作环境,使得其在各种工业和汽车应用中表现出色。
栅极电荷 (Qg): 在10V时,栅极电荷为35nC,这使得器件在驱动时具有较快的开关速度,有助于提高整体的回路效率和响应时间。
封装类型: 作为表面贴装型器件,SI2371EDS-T1-GE3 采用的是 SOT-23(TO-236-3、SC-59 也适用)封装,具有较小的尺寸和体积,适合现代小型电子产品的设计需求。
SI2371EDS-T1-GE3 适用于多种应用场景,如:
VISHAY 的 SI2371EDS-T1-GE3 是一款集高性能与良好可靠性于一体的 P沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能、优异的热管理能力以及广泛的应用兼容性,成为了现代电子设备设计中不可或缺的一部分。设计师可以利用这款 MOSFET 来实现高效能的电源管理和负载控制方案,使得电子产品在性能和可靠性上达到新的高度。