SI2371EDS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2371EDS-T1-GE3

商品编码: BM0000283740
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
0.02g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W;1.7W 30V 4.8A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.447
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.447
--
3000+
¥0.418
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2371EDS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,4.8A
功率(Pd)1.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.6nC@10V工作温度-55℃~+150℃

SI2371EDS-T1-GE3手册

SI2371EDS-T1-GE3概述

SI2371EDS-T1-GE3 产品概述

概述

SI2371EDS-T1-GE3 是 VISHAY(威世)推出的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计用于广泛的电子应用,包括电源管理、开关电源电路和负载开关等领域。凭借其低漏源导通电阻、广泛的工作温度范围和高的电流承载能力,SI2371EDS-T1-GE3 是设计师在选择合适的MOSFET时的理想选择。

关键参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为30V,适合各种低压应用。

  2. 连续漏极电流 (Id): 该MOSFET在25°C环境下的连续漏极电流为4.8A,支持高功率需求的应用。

  3. 导通电阻 (Rds(on)): SI2371EDS-T1-GE3 的漏源导通电阻为45mΩ(在3.7A、10V时),这意味着其在开关状态下的能量损耗相对较低,能够提高整体系统的效率。

  4. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 其栅源极阈值电压为1.5V(在250µA时),允许在较低的栅电压下启动,从而可实现低功耗特性。

  5. 最大功率耗散: 器件可以在环境温度25°C下承受1W的功率耗散,而在晶体管结温情况下(Tc)可承受最大1.7W,确保器件在高负载条件下不会过热。

  6. 工作温度范围: SI2371EDS-T1-GE3 的工作温度范围为-55°C到150°C,适应多种恶劣工作环境,使得其在各种工业和汽车应用中表现出色。

  7. 栅极电荷 (Qg): 在10V时,栅极电荷为35nC,这使得器件在驱动时具有较快的开关速度,有助于提高整体的回路效率和响应时间。

  8. 封装类型: 作为表面贴装型器件,SI2371EDS-T1-GE3 采用的是 SOT-23(TO-236-3、SC-59 也适用)封装,具有较小的尺寸和体积,适合现代小型电子产品的设计需求。

应用场景

SI2371EDS-T1-GE3 适用于多种应用场景,如:

  • 电源管理: 由于其速度快和导通电阻低,SI2371EDS-T1-GE3 可以有效管理电源开关和稳压电源。
  • 负载开关: 适合用于低压负载开关应用,可以在不同负载下提供可靠的开关控制。
  • 电机驱动器: 在直流电机和步进电机的驱动电路中,利用其高电流承载能力和低热损耗,可以实现高效控制。
  • 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围,该器件适用于汽车电子的各种模块和系统中。

总结

VISHAY 的 SI2371EDS-T1-GE3 是一款集高性能与良好可靠性于一体的 P沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能、优异的热管理能力以及广泛的应用兼容性,成为了现代电子设备设计中不可或缺的一部分。设计师可以利用这款 MOSFET 来实现高效能的电源管理和负载控制方案,使得电子产品在性能和可靠性上达到新的高度。