类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,5.0A |
功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 325pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: SI3456DDV-T1-GE3
类型: N沟道MOSFET
制造商: VISHAY(威世)
封装类型: SOT-23-6 (6-TSOP)
SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能的小型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要参数如下:
导通性能优越: SI3456DDV-T1-GE3具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在较小的功率损耗下提供高电流,通过控制栅电压(Vgs)可显著提高导通性能。对于Vgs=10V时的最大导通电阻为40mΩ,当电流为5A时,可以有效降低系统的发热量。
高温度适应能力: 该产品的工作温度范围广,适应-55°C至150°C的环境,使得它在恶劣环境下稳定工作,适用性极强。高温能力使其在航空航天、汽车电子等高要求应用场景里表现出色。
低栅极电荷和快速开关特性: SI3456DDV-T1-GE3在10V下的栅极电荷为9nC,具有较低的栅极驱动需求,促进更快的开关速度,降低开关损耗。这对于高频电源和电机驱动应用尤为重要。
兼容性: 该MOSFET的驱动电压可在4.5V到10V之间变化,适配多种控制电路,增强了系统设计灵活性。
由于SI3456DDV-T1-GE3突出的性能特点,它可广泛应用于以下领域:
总体来看,SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高负载电流能力、宽广的工作温度范围以及快速的开关响应,成为了现代电子设备电源管理及驱动应用的理想选择。VISHAY作为业界知名的电子元器件制造商,其产品在技术可靠性和性能表现上都得到了广泛认可,为设计师提供了更多创新应用的可能性。选择SI3456DDV-T1-GE3,不仅能增强系统性能,还能提高设计灵活性和产品竞争力。