SI3456DDV-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI3456DDV-T1-GE3

商品编码: BM0000283742
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
6-TSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.07g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.7W 30V 6.3A 1个N沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
33(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.514
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.514
--
3000+
¥0.48
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI3456DDV-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,5.0A
功率(Pd)1.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)325pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI3456DDV-T1-GE3手册

SI3456DDV-T1-GE3概述

SI3456DDV-T1-GE3 产品概述

产品名称: SI3456DDV-T1-GE3
类型: N沟道MOSFET
制造商: VISHAY(威世)
封装类型: SOT-23-6 (6-TSOP)

一、基本参数

SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能的小型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要参数如下:

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 6.3A(在25°C下,Tc测得)
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 40 mΩ @ 5A, 10V
  • 最大功率耗散: 2.7W(Tc); 1.7W(Ta=25°C)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C

二、技术特点

  1. 导通性能优越: SI3456DDV-T1-GE3具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在较小的功率损耗下提供高电流,通过控制栅电压(Vgs)可显著提高导通性能。对于Vgs=10V时的最大导通电阻为40mΩ,当电流为5A时,可以有效降低系统的发热量。

  2. 高温度适应能力: 该产品的工作温度范围广,适应-55°C至150°C的环境,使得它在恶劣环境下稳定工作,适用性极强。高温能力使其在航空航天、汽车电子等高要求应用场景里表现出色。

  3. 低栅极电荷和快速开关特性: SI3456DDV-T1-GE3在10V下的栅极电荷为9nC,具有较低的栅极驱动需求,促进更快的开关速度,降低开关损耗。这对于高频电源和电机驱动应用尤为重要。

  4. 兼容性: 该MOSFET的驱动电压可在4.5V到10V之间变化,适配多种控制电路,增强了系统设计灵活性。

三、应用领域

由于SI3456DDV-T1-GE3突出的性能特点,它可广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器、高级电源模块中,发挥关键的开关作用。
  • 电机驱动: 可作为电机驭动器的关键组成部分,提高驱动效率。
  • 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围,适合用于汽车的功率管理系统,如LED照明、车载充电设备等。
  • 消费电子: 可用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品的电源管理。

四、总结

总体来看,SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高负载电流能力、宽广的工作温度范围以及快速的开关响应,成为了现代电子设备电源管理及驱动应用的理想选择。VISHAY作为业界知名的电子元器件制造商,其产品在技术可靠性和性能表现上都得到了广泛认可,为设计师提供了更多创新应用的可能性。选择SI3456DDV-T1-GE3,不仅能增强系统性能,还能提高设计灵活性和产品竞争力。