SI3456DDV-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
0.07g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W 30V 6.3A 1个N沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
33(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.514按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.514
--
3000+
￥0.48
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3456DDV-T1-GE3参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,5.0A |
| 功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 325pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI3456DDV-T1-GE3手册
SI3456DDV-T1-GE3概述
SI3456DDV-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI3456DDV-T1-GE3
类型: N沟道MOSFET
制造商: VISHAY（威世）
封装类型: SOT-23-6 (6-TSOP)
一、基本参数
SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能的小型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 6.3A（在25°C下，Tc测得）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 40 mΩ @ 5A, 10V
- 最大功率耗散: 2.7W（Tc）; 1.7W（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
二、技术特点
导通性能优越: SI3456DDV-T1-GE3具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在较小的功率损耗下提供高电流，通过控制栅电压（Vgs）可显著提高导通性能。对于Vgs=10V时的最大导通电阻为40mΩ，当电流为5A时，可以有效降低系统的发热量。
高温度适应能力: 该产品的工作温度范围广，适应-55°C至150°C的环境，使得它在恶劣环境下稳定工作，适用性极强。高温能力使其在航空航天、汽车电子等高要求应用场景里表现出色。
低栅极电荷和快速开关特性: SI3456DDV-T1-GE3在10V下的栅极电荷为9nC，具有较低的栅极驱动需求，促进更快的开关速度，降低开关损耗。这对于高频电源和电机驱动应用尤为重要。
兼容性: 该MOSFET的驱动电压可在4.5V到10V之间变化，适配多种控制电路，增强了系统设计灵活性。
三、应用领域
由于SI3456DDV-T1-GE3突出的性能特点，它可广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、高级电源模块中，发挥关键的开关作用。
- 电机驱动: 可作为电机驭动器的关键组成部分，提高驱动效率。
- 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，适合用于汽车的功率管理系统，如LED照明、车载充电设备等。
- 消费电子: 可用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品的电源管理。
四、总结
总体来看，SI3456DDV-T1-GE3是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高负载电流能力、宽广的工作温度范围以及快速的开关响应，成为了现代电子设备电源管理及驱动应用的理想选择。VISHAY作为业界知名的电子元器件制造商，其产品在技术可靠性和性能表现上都得到了广泛认可，为设计师提供了更多创新应用的可能性。选择SI3456DDV-T1-GE3，不仅能增强系统性能，还能提高设计灵活性和产品竞争力。