SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 产品概述

产品简介
SI4848DY-T1-E3 是一种高性能的 N沟道 MOSFET，广泛应用于各种电源管理与开关电路中。本产品由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品，具有出色的电气特性和热性能，能够满足高压高效率的应用需求。

技术参数
SI4848DY-T1-E3 的关键技术参数包括：

• 漏源电压 (Vdss): 150V
• 连续漏极电流 (Id): 2.7A（在25°C的环境温度下）
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小 2V @ 250µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 最大 85mΩ @ 3.5A, 10V
• 最大功率耗散: 1.5W（在25°C环境下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 驱动电压范围: 最大 Rds(on) 驱动电压为 6V，最小为 10V
• 栅极电荷 (Qg): 最大 21nC @ 10V
• Vgs 绝对最大值: ±20V
• 封装类型: 8-SO （小型化表面贴装封装，封装尺寸为 0.154", 3.90mm 宽）

应用场景
由于其卓越的电气性能，SI4848DY-T1-E3 MOSFET 在多个应用场合中表现出色。它通常被用于以下领域：

1. 电源管理：适合用于 DC-DC 转换器、开关电源等设备中，可以实现高效的电能转换，降低能耗。
2. 马达驱动：在电动机驱动电路中的开关应用，提供高效率和高电流的驱动能力。
3. 信号开关：用于精密的信号调节与开关，对低电平信号的准确控制。
4. 整流电路：在整流应用中可用作高效整流器，以确保较低的导通损耗。

产品特点
SI4848DY-T1-E3 的设计特性使其具备了多种优越的性能：

• 低导通电阻：其 Rds(on) 仅为 85mΩ，这确保了在高电流应用中产生的热量最小化，有助于提高总体效率。
• 高温稳定性：适用于严苛环境，可在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作，保证了在高温条件下的良好性能。
• 小型化封装：采用 8-SO 封装设计，使其在PCB布局上更具灵活性，便于集成在各种小型电子产品中。

结论
SI4848DY-T1-E3 是一款功能强大、性能卓越的 N沟道 MOSFET，非常适合电源管理和开关应用。凭借其低导通电阻和高工作温度范围，该产品能满足现代电子设备对能效和稳定性的严苛要求。无论是对于电源设计工程师还是制造商，选择 SI4848DY-T1-E3 都能在实现高效率电源转换和设备可靠性上带来显著优势。

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