类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V |
功率(Pd) | 33W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 59nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.59nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 183pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7615ADN-T1-GE3 是一款由 VISHAY(威世)公司制造的 P沟道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型设计,配备了高效能的 PowerPAK® 1212-8 封装。该器件专为优化电源管理、开关电源以及其他高效能电子应用而设计,兼具高导通能力和热性能。
导通电阻 (Rds On):
漏极电流 (Id):
驱动电压 (Vgs):
输入电容 (Ciss):
栅极电荷 (Qg):
漏源电压 (Vdss):
阈值电压 (Vgs(th)):
工作温度及功率耗散:
SI7615ADN-T1-GE3 的特性使其适用于广泛的电子应用,包括但不限于:
SI7615ADN-T1-GE3 是一款性能优异的 P沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和较强的功率承受能力,成为了各种高效能电子应用的理想选择。其高导通能力和优化的热特性确保了在复杂应用环境中的稳定性和可靠性,满足市场对高性能元件的需求。选用 VISHAY 的 SI7615ADN-T1-GE3 将为您的设计提供强大的支持和更高的能效表现。