SI7850DP-T1-E3
SI7850DP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 31mΩ @ 8.7A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 4.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 10.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7850DP-T1-E3手册
SI7850DP-T1-E3概述
SI7850DP-T1-E3 产品概述
产品简介：
SI7850DP-T1-E3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）提供。该MOSFET专为高效率的开关电源、电机驱动、以及各种功率管理应用而设计，具备优秀的性能和极佳的热管理能力，是现代电子设备中不可或缺的组件。
主要参数：
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 10.3A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 31mΩ @ 8.7A, 4.5V
- 最大功率耗散: 4.5W（25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: PowerPAK® SO-8
性能特点：
高导电性能: SI7850DP-T1-E3经过精心设计，其漏源导通电阻在额定电流下保持在低于31mΩ，使得在高电流条件下的功率损耗最小化，从而提高系统的整体效率。在10.3A、10V的情况下，最大导通电阻可降低至22mΩ，这进一步增强了其开关性能。
高温和高压耐受性: 此MOSFET的漏源电压额定值为60V，能够满足多种高压工作环境的需求。同时，工作温度范围广泛（从-55°C到150°C），使其适用于严苛的工业应用和高温环境下。
有效的散热管理: 最大功率耗散达到4.5W，这意味着SI7850DP-T1-E3在高负载条件下也能够保持有效的热管理，有助于延长系统组件的使用寿命并提升产品的可靠性。
兼容性与应用广泛性: 这款MOSFET支持4.5V及10V的驱动电压，适合多个应用领域，包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等。其兼容性强，有助于工程师们在设计中减少元件选型的复杂性，并提高系统的集成度。
卓越的开关特性: 在不同的源电压与栅压配置下，该元件的栅极电荷（Qg）最大值是27nC @ 10V，这一点表明其在快速开关性能上的出色表现，适合高频应用，有助于提高整体系统的响应速度。
应用场景：
SI7850DP-T1-E3广泛应用于各类电子设备，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 直流/直流转换器（DC-DC Converter）
- 电动机驱动电路
- LED照明控制
- 其他要求高效率和高导电性的功率电子应用
结论
总体而言，SI7850DP-T1-E3是一款特性优越的N沟道MOSFET，凭借其高导电性、宽广的工作温度范围、良好的散热能力以及广泛的应用兼容性，使其成为现代功率管理和开关电源设计中的理想选择。此产品的推出不仅提升了设计的灵活性，还有助于工程师们实现更高的效率与可靠性，适应快速发展的高科技行业需求。