SI7858ADP-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 12V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 29A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5700pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7858ADP-T1-E3手册
SI7858ADP-T1-E3概述
SI7858ADP-T1-E3 产品概述
产品名称： SI7858ADP-T1-E3
品牌： VISHAY（威世电子）
封装形式： PowerPAK® SO-8
产品类型： N沟道 MOSFET
一、基本描述
SI7858ADP-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用表面贴装式设计，封装类型为 PowerPAK® SO-8。在广泛的电子应用中，清晰的电气特性和稳定的性能使得该产品成为高效电路设计的重要选择。其漏源极电压（Vdss）为 12V，连续漏极电流（Id）可达 20A，这使其适合于各种功率管理和开关应用。
二、技术参数
- 漏源极电压（Vdss）： 12V
- 栅源电压（Vgss）： ±8V
- 连续漏极电流（Id）： 20A（Ta = 25°C）
- 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta = 25°C）
- 导通电阻（Rds(on)）： 最大值 2.6 毫欧 @ 29A，Vgs = 4.5V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大值 1.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）： 最大值 80nC @ Vgs = 4.5V
- 输入电容（Ciss）： 最大值 5700pF @ 6V
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C（TJ）
三、应用场景
SI7858ADP-T1-E3 的设计使其非常适合于多种应用，包括但不限于：
开关电源（SMPS）： MOSFET 的高灵敏度和快速开关速度可显著提高开关电源的效率和稳定性。
电机驱动： 在步进电机、直流电机及其他电机驱动应用中，SI7858ADP-T1-E3 通过控制电机的启停和转速提供高效的功率控制。
电池管理系统： 该 MOSFET 被广泛用于电池充电和放电过程中的开关和控制，以确保系统的安全性和可靠性。
负载开关： 其优秀的导通电阻和功率耗散能力使其成为负载开关设计中的理想选择，尤其是在需要高效率的应用中。
四、性能优势
低导通电阻： 低 Rds(on) 确保了在高电流情况下的能效，减少了功率损耗和发热。
快速开关能力： 较低的栅极电荷 Qg 值使得该 MOSFET 能够在高频下高效工作，适应多种快时时间要求的应用场合。
高温工作能力： SI7858ADP-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在恶劣环境中仍能保持稳定的性能。
稳定的电气特性： 其最大 Vgs 和 Vds 限值提供了设计中的灵活性，使其可以在多种电压和电流情况下安全工作。
五、总结
总的来说，SI7858ADP-T1-E3 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其小巧的封装、高效的电气性能和极宽的工作温度范围，为设计工程师提供了极大的设计灵活性。无论是在消费电子、工业控制还是新能源汽车等领域，SI7858ADP-T1-E3 都能够提供可靠的解决方案。其综合的性能优势，使其在激烈的市场竞争中脱颖而出，是追求高效率和小体积设计的理想选择。