SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SIR470DP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由威世 (VISHAY) 公司生产，采用流行的 PowerPAK® SO-8 封装。这种 MOSFET 热设计良好，适合高功率应用，在低导通电阻和高电流承载能力下表现出色。其应用范围广泛，可用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的电路。

基本参数

• 漏源电压 (Vdss): 40V
• 连续漏极电流 (Id), 25°C 环境下: 60A
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 250μA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 2.3mΩ @ 20A，10V
• 最大功率耗散: 6.25W (Ta=25°C)，104W (Tc)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

结构与封装

SIR470DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有较小的尺寸和低热阻特性，使其能够在高电流和高温环境下稳定工作。其优良的散热性能使得该器件能够长时间承载其最大功率，同时提升系统的整体可靠性。

性能与应用

SIR470DP-T1-GE3 在多个重要参数上展现出优异的性能，尤其是其低导通电阻 (2.3mΩ)，使得电流通过时的能量损耗大幅减少。这使得该 MOSFET 特别适合在开关电源和电动机驱动等场合，进一步提高系统效率并降低发热。同时，最大漏源电压 (40V) 和连续漏极电流 (60A) 的特性使其能够处理较高的瞬态电流，能广泛应用于直接连接至电源的电池管理系统和高功率逆变器。

关键特性

1. 高导电性: 低导通电阻的表现在高电流应用中的能量损失极低，适合需高效能的电源应用。
2. 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，保证了在各种极端环境下的稳定性。
3. 高散热能力: 可承受高达 104W 的功率，使其可以在高功率密度的应用中有效发挥作用。
4. 良好的电气特性: 栅极电荷 (Qg) 的最大值为 155nC @ 10V，使得驱动电路的要求保持在合理的水平，简化了驱动设计。

总结

SIR470DP-T1-GE3 是一款在电源和功率电子行业中具有重要意义的 MOSFET。其高电流处理能力、低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围，使其能够在许多应用场合充分发挥其优势。随着对电子设备功率效率和热管理要求的不断提升，SIR470DP-T1-GE3，凭借出色的性能和灵活的应用能力，成为设计工程师首选的高效开关器件之一。