SIR470DP-T1-GE3 产品实物图片
SIR470DP-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIR470DP-T1-GE3

商品编码: BM0000283761
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.131g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.25W;104W 40V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.47
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.47
--
3000+
¥3.33
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIR470DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3mΩ@10V,20A
功率(Pd)6.25W;104W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)155nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.66nF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SIR470DP-T1-GE3手册

SIR470DP-T1-GE3概述

SIR470DP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SIR470DP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由威世 (VISHAY) 公司生产,采用流行的 PowerPAK® SO-8 封装。这种 MOSFET 热设计良好,适合高功率应用,在低导通电阻和高电流承载能力下表现出色。其应用范围广泛,可用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的电路。

基本参数

  • 漏源电压 (Vdss): 40V
  • 连续漏极电流 (Id), 25°C 环境下: 60A
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 250μA
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 2.3mΩ @ 20A,10V
  • 最大功率耗散: 6.25W (Ta=25°C),104W (Tc)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

结构与封装

SIR470DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,具有较小的尺寸和低热阻特性,使其能够在高电流和高温环境下稳定工作。其优良的散热性能使得该器件能够长时间承载其最大功率,同时提升系统的整体可靠性。

性能与应用

SIR470DP-T1-GE3 在多个重要参数上展现出优异的性能,尤其是其低导通电阻 (2.3mΩ),使得电流通过时的能量损耗大幅减少。这使得该 MOSFET 特别适合在开关电源和电动机驱动等场合,进一步提高系统效率并降低发热。同时,最大漏源电压 (40V) 和连续漏极电流 (60A) 的特性使其能够处理较高的瞬态电流,能广泛应用于直接连接至电源的电池管理系统和高功率逆变器。

关键特性

  1. 高导电性: 低导通电阻的表现在高电流应用中的能量损失极低,适合需高效能的电源应用。
  2. 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围,保证了在各种极端环境下的稳定性。
  3. 高散热能力: 可承受高达 104W 的功率,使其可以在高功率密度的应用中有效发挥作用。
  4. 良好的电气特性: 栅极电荷 (Qg) 的最大值为 155nC @ 10V,使得驱动电路的要求保持在合理的水平,简化了驱动设计。

总结

SIR470DP-T1-GE3 是一款在电源和功率电子行业中具有重要意义的 MOSFET。其高电流处理能力、低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围,使其能够在许多应用场合充分发挥其优势。随着对电子设备功率效率和热管理要求的不断提升,SIR470DP-T1-GE3,凭借出色的性能和灵活的应用能力,成为设计工程师首选的高效开关器件之一。