类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 6.25W;104W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 155nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.66nF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIR470DP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由威世 (VISHAY) 公司生产,采用流行的 PowerPAK® SO-8 封装。这种 MOSFET 热设计良好,适合高功率应用,在低导通电阻和高电流承载能力下表现出色。其应用范围广泛,可用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的电路。
SIR470DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,具有较小的尺寸和低热阻特性,使其能够在高电流和高温环境下稳定工作。其优良的散热性能使得该器件能够长时间承载其最大功率,同时提升系统的整体可靠性。
SIR470DP-T1-GE3 在多个重要参数上展现出优异的性能,尤其是其低导通电阻 (2.3mΩ),使得电流通过时的能量损耗大幅减少。这使得该 MOSFET 特别适合在开关电源和电动机驱动等场合,进一步提高系统效率并降低发热。同时,最大漏源电压 (40V) 和连续漏极电流 (60A) 的特性使其能够处理较高的瞬态电流,能广泛应用于直接连接至电源的电池管理系统和高功率逆变器。
SIR470DP-T1-GE3 是一款在电源和功率电子行业中具有重要意义的 MOSFET。其高电流处理能力、低导通电阻、高功率耗散能力和宽工作温度范围,使其能够在许多应用场合充分发挥其优势。随着对电子设备功率效率和热管理要求的不断提升,SIR470DP-T1-GE3,凭借出色的性能和灵活的应用能力,成为设计工程师首选的高效开关器件之一。