SIS402DN-T1-GE3

产品概述：SIS402DN-T1-GE3 MOSFET

一、基本信息

SIS402DN-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用表面贴装型PowerPAK® 1212-8封装。该产品具备高效的电流导通能力及优良的热管理性能，其在广泛的电源管理、电机控制及其他高功率应用中表现优异。

二、主要参数

• 漏源电压（Vdss）： 30V
• 连续漏极电流（Id）： 35A（在25°C时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 2.2V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）： 6mΩ @ 19A, 10V
• 最大功率耗散（Ta = 25°C）： 3.8W
• 工作温度范围： -55°C 至 150°C
• 封装类型： PowerPAK® 1212-8

三、功能特点与应用

1. 高效能与稳定性： SIS402DN-T1-GE3的低漏源导通电阻（6mΩ）和高连续漏极电流（35A）确保其在高负载条件下具有良好的热性能和电流承载能力，从而提高系统的运行效率和稳定性。

2. 宽广的工作温度范围： 该MOSFET能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度区间内稳定工作，特别适用于环境温度变化剧烈和要求高可靠性的工业或汽车等应用。

3. 先进的封装设计： PowerPAK® 1212-8 封装设计不仅优化了散热性能，也方便了表面贴装技术（SMT）应用，使得其在现代电子设备中易于集成与布局。

4. 出色的驱动特性： 本产品具有额定的驱动电压范围（最大 Rds(on) 分别在 4.5V 和 10V），确保其在低电压驱动应用中的可靠性和响应速度。此外，其栅极电荷（Qg）为42nC，有助于提高开关速度，降低驱动功耗。

四、适用应用

SIS402DN-T1-GE3可广泛应用于：

• DC-DC 转换器
• 电源管理系统
• 电机驱动控制
• 开关电源（SMPS）
• LED 驱动
• 逆变器和直流电池管理系统

由于该MOSFET在高频开关及功率转换中的优异表现，广泛应用于各种消费电子、工业控制及电动车辆等领域。

五、总结

VISHAY的SIS402DN-T1-GE3 MOSFET以其卓越的电气性能、细致的封装设计及广泛的应用适用性，使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在要求高效率、稳定性及紧凑型设计的场合，这款MOSFET都能为设计提供强大的支持。无论是新产品开发还是现有设计优化，SIS402DN-T1-GE3都是一个不可或缺的关键元器件。通过结合现代电源控制需求与高可靠性，SIS402DN-T1-GE3将为用户带来更高的设计自由度及产品竞争力。