类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 227W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.9V@1.0mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 117nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.3nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SPB17N80C3是一款高性能的N沟道功率场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该器件专为高电压和高电流应用而设计,具有800V的漏源电压(Vdss)和17A的连续漏极电流(Id @ 25°C时),能够在多种严苛条件下稳定工作。这款MOSFET的封装类型为TO-263-3,方便PCB布局和热管理。
SPB17N80C3的设计旨在满足多个行业的需求,广泛应用于以下领域:
电源转换器:在开关电源和稳压电源应用中,SPB17N80C3能有效地提高开关效率和热管理性能,增加系统的可靠性。
电动机驱动:由于其高额定电流和电压,该MOSFET非常适合用于电动机驱动电路,可以驱动高功率电动机,满足工业自动化和电动汽车等应用的需求。
逆变器:在可再生能源系统(如太阳能逆变器)和UPS(不间断电源)中,SPB17N80C3能够有效地处理高压和高功率,从而提高电力转化效率。
消费电子:在大功率消费电子产品中,如大型音响设备或高性能计算机电源,亦可利用该MOSFET的高性能特点。
由于SPB17N80C3在高负载下可以产生较大的热量,因此在设计电路时需要考虑有效的散热解决方案。TO-263封装设计提供了良好的热传导特性,可以通过适当的散热片或导热垫片有效地实现散热。此外,在PCB布局时,要确保足够的电流通路和散热区域,以防止过热对MOSFET性能的影响。
SPB17N80C3是一款性能优异的N沟道MOSFET,具有800V的电压承受能力和17A的电流能力,非常适合高功率和高电压的应用场合。其低导通电阻、高热功率散发能力和优良的热管理特性使其在电源转换器、电动机驱动和逆变器等应用中表现出色。选择SPB17N80C3,您将在稳定性和效率上获得双重保障,助力您的电子产品在市场中脱颖而出。