SQ2389ES-T1_GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SQ2389ES-T1_GE3

商品编码: BM0000283836
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 40V 4.1A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
707(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.93
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.93
--
3000+
¥0.881
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQ2389ES-T1_GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)4.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)94mΩ@10V,3A
功率(Pd)3W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)420pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)54pF@20V工作温度-55℃~+175℃

SQ2389ES-T1_GE3手册

SQ2389ES-T1_GE3概述

SQ2389ES-T1_GE3 产品概述

SQ2389ES-T1_GE3是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为需要高效能和耐用性的电子应用设计。由知名品牌VISHAY(威世)生产,该器件采用表面贴装型(SMD)的SOT-23-3(TO-236)封装设计,适合于现代电子设备的紧凑布局和高密度要求。

基本参数与特性

  1. 漏源电压(Vdss):SQ2389ES-T1_GE3的最大漏源电压为40V,允许在高电压环境下稳定工作。这一特性使得该MOSFET适合于应用在能源转换、电源管理和高电压电路中。

  2. 连续漏极电流(Id):在25°C的工作条件下,该器件具有4.1A的最大连续漏极电流能力,保证在高负载条件下的可靠性和性能。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)):产品的栅源极阈值电压为2.5V @ 250µA。这一指标表明SQ2389ES-T1_GE3在较低的栅源电压下即可实现导通,非常适合低电压驱动的应用场景。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on)):在10V的驱动电压下,该MOSFET的导通电阻为94mΩ @ 10A,表现出优异的导通性能和低能量损耗。这有利于提高整个电路的效率,并降低发热。

  5. 功率耗散:该器件的最大功率耗散为3W(在Tc=25°C时),表明它能够在输出较高功率负载时有效散热和运行。

  6. 工作温度范围:SQ2389ES-T1_GE3支持的工作温度范围宽广,从-55°C到175°C。这使得它适用在极端环境和高温应用场景中,对器件的长期稳定性没有负面影响。

  7. 栅极电荷(Qg):该MOSFET的栅极电荷最大值为12nC @ 10V,提示着其在开关操作中的快速响应能力,能够有效降低开关损耗。

  8. 输入电容(Ciss):在20V的条件下,输入电容为420pF,表明该器件在高频操作中具备较好的性能。

应用领域

由于以上卓越的性能,SQ2389ES-T1_GE3广泛应用于各类电子电路中,尤其适合以下几个领域:

  • DC-DC转换器:用于高效能电源管理和电能转换,提高整体系统的可靠性和效率。
  • 电机驱动:在各种电机驱动控制电路中,能够处理高电流和高电压负载。
  • 电源管理IC:作为开关元件,在各类电源管理集成电路中实现高效的开关控制。
  • 消费电子产品:在手机、平板电脑等移动设备中用于功率管理,保证低能耗和高效能。

总结

SQ2389ES-T1_GE3是VISHAY推出的一款优秀的P沟道MOSFET,具备40V漏源电压、4.1A连续漏极电流以及低导通电阻的优良特性。其广泛的工作温度范围、高效能和紧凑的SOT-23封装,令其在现代电子应用中成为可靠的选择。凭借其卓越的性能,SQ2389ES-T1_GE3适合于多种高效能系统,满足市场对高性能电子元器件的需求。无论是在消费电子、工业控制,还是在电源管理领域,它都能为工程师提供理想的解决方案。