封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 600V | 安装类型 | 通孔(THT) |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 46nC @ 10V |
Vgs(最大值) | 30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 905pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
供应商器件封装 | I2PAK |
概述
STB6NK60Z-1是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),在多个高电压和高频率的电子应用中被广泛应用。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)生产,具有600V的漏源极电压,是一款在中等功率电路中表现出色的开关元件。STB6NK60Z-1的封装形式为TO-262-3,适用于通孔安装(THT),其长引线设计方便了元器件的布局与焊接。
关键参数
工作温度范围
STB6NK60Z-1工作的温度范围为-55°C到150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适用各种工业应用和汽车电子产品。
应用场景
STB6NK60Z-1的设计使其非常适合于以下应用场景:
结语
STB6NK60Z-1是一款集高电压、高电流和低功耗于一体的MOSFET,凭借其优秀的电性能和广泛的适用性,在现代电子产品中展现出极大的价值。无论是工业控制、开关电源,还是电机驱动,STB6NK60Z-1都是理想的选择,可以助力设计工程师实现更高效和更可靠的电路设计。因此,选择STB6NK60Z-1将为用户提供增强的设计灵活性与良好的电气性能,是提升产品竞争力的关键因素。