STB6NK60Z-1 产品实物图片
STB6NK60Z-1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STB6NK60Z-1

商品编码: BM0000283853
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) STB6NK60Z-1 TO-262-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.31
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.31
--
1000+
¥2.2
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STB6NK60Z-1参数

封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AAFET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)600V安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)46nC @ 10V
Vgs(最大值)30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)905pF @ 25V
功率耗散(最大值)110W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装I2PAK

STB6NK60Z-1手册

STB6NK60Z-1概述

STB6NK60Z-1 产品概述

概述

STB6NK60Z-1是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),在多个高电压和高频率的电子应用中被广泛应用。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)生产,具有600V的漏源极电压,是一款在中等功率电路中表现出色的开关元件。STB6NK60Z-1的封装形式为TO-262-3,适用于通孔安装(THT),其长引线设计方便了元器件的布局与焊接。

关键参数

  1. 漏源极电压(Vdss):最大工作电压为600V,适合于高电压应用。
  2. 连续漏极电流(Id):在25°C的环境温度条件下,连续漏极电流可达6A,适用于多种负载条件。
  3. 导通电阻(Rds(on)):在不同的电流和栅压条件下,该元器件的最大导通电阻为1.2Ω @ 3A和10V,表明在开关状态下具有较低的功耗表现。
  4. 栅极驱动电压(Vgs):该MOSFET的栅极电压最大值为30V,驱动效率高。
  5. 栅极阈值电压(Vgs(th)):在100µA的漏电流条件下,最大阈值电压为4.5V,适合于低功率驱动需求。
  6. 栅极电荷(Qg):在10V栅驱动下,栅极电荷最大值为46nC,可支持高速开关。
  7. 输入电容:在25V条件下,输入电容最大为905pF,这对于高频开关电路是一个重要参数。
  8. 功率耗散:最大功率耗散为110W,适合于大功率应用。

工作温度范围

STB6NK60Z-1工作的温度范围为-55°C到150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适用各种工业应用和汽车电子产品。

应用场景

STB6NK60Z-1的设计使其非常适合于以下应用场景:

  • 开关电源:可以在电源转换和电压调节中高效切换,减少能量损失。
  • 电机驱动:在电机控制电路中,作为开关元件,具备快速开关特性和低导通损耗。
  • 高频应用:由于其较小的输入电容和低栅极电荷,能够支持高频开关操作。
  • 功率管理:在各种功率管理方案中,提供高效的电流控制。

结语

STB6NK60Z-1是一款集高电压、高电流和低功耗于一体的MOSFET,凭借其优秀的电性能和广泛的适用性,在现代电子产品中展现出极大的价值。无论是工业控制、开关电源,还是电机驱动,STB6NK60Z-1都是理想的选择,可以助力设计工程师实现更高效和更可靠的电路设计。因此,选择STB6NK60Z-1将为用户提供增强的设计灵活性与良好的电气性能,是提升产品竞争力的关键因素。