类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 790pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.6pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品基本信息
STD13NM60N 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,旨在满足高压和大电流应用的需求。该器件具有600V 的漏源电压(Vdss)和11A 的持续漏极电流(Id),使其在工业和消费类电子设备中广泛应用,尤其是在功率转换、马达驱动和开关电源等领域。
二、主要特性
高耐压与大电流能力
低导通电阻
优良的开关性能
宽广的工作温度范围
封装与安装类型
三、应用场景
由于其出色的电气特性,STD13NM60N 广泛应用于许多电源管理和驱动设备中,包括但不限于:
四、技术优势
五、总结
STD13NM60N 是一款功能强大的 N 沟道MOSFET,凭借其600V的耐压、11A的持续电流和出色的导通特性,成为许多高性能电源和驱动应用的理想选择。无论是工业控制、消费电子、还是新能源系统,STD13NM60N 都能在保证性能的前提下,帮助设计师实现高效、可靠且紧凑的电路解决方案。