STD13NM60N 产品实物图片
STD13NM60N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD13NM60N

商品编码: BM0000283859
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.584g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 90W 600V 11A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.55
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.55
--
2500+
¥6.33
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD13NM60N参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)90W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)790pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)3.6pF@50V工作温度-55℃~+150℃

STD13NM60N手册

STD13NM60N概述

STD13NM60N 产品概述

一、产品基本信息

STD13NM60N 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,旨在满足高压和大电流应用的需求。该器件具有600V 的漏源电压(Vdss)和11A 的持续漏极电流(Id),使其在工业和消费类电子设备中广泛应用,尤其是在功率转换、马达驱动和开关电源等领域。

二、主要特性

  1. 高耐压与大电流能力

    • 漏源电压(Vdss):600V,适用于高电压环境;
    • 连续漏极电流(Id):11A(在 25°C 时),突显其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
  2. 低导通电阻

    • 漏源导通电阻(Rds(on)):380mΩ(@ 5.5A,10V),在低电流条件下仍能保持极低的导通损耗;
    • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):360 mΩ(@ 5.5A,10V),有效提高了电源转换效率。
  3. 优良的开关性能

    • 驱动电压:10V,提供良好的栅极驱动能力;
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):5V @ 250µA,允许在较低的栅源电压下实现开启;
    • 栅极电荷(Qg):30nC @ 10V,确保在高频开关操作下具备快速响应能力。
  4. 宽广的工作温度范围

    • 可在工作温度高达150°C(TJ)下运行,确保设备在极端环境中的可靠性。
  5. 封装与安装类型

    • 封装类型:TO-252-3(DPAK),为表面贴装型设计,便于自动化生产及散热管理;
    • 供应商封装:DPAK,这种封装形式有助于降低整体系统设计的尺寸,并提高散热性能。

三、应用场景

由于其出色的电气特性,STD13NM60N 广泛应用于许多电源管理和驱动设备中,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):在高压和高效能转换中提供可靠的开关能力;
  • 驱动电路:用于电动马达、电磁阀、继电器等的驱动,确保系统的稳定与高效率;
  • 逆变器:用于太阳能、风能等可再生能源系统中的电力转换;
  • 照明控制:广泛应用于LED驱动及照明控制系统中,确保输出的恒定和高效率。

四、技术优势

  1. 高效率:低的导通电阻和快速的开关特性大幅降低了能耗和热量生成,提升了系统的整体效率。
  2. 可靠性:在高温和高压环境下的稳定工作性能提升了电路的可靠性与安全性。
  3. 小型化设计:DPAK 的封装有效减小了电路板空间的需求,使得系统设计更为灵活。

五、总结

STD13NM60N 是一款功能强大的 N 沟道MOSFET,凭借其600V的耐压、11A的持续电流和出色的导通特性,成为许多高性能电源和驱动应用的理想选择。无论是工业控制、消费电子、还是新能源系统,STD13NM60N 都能在保证性能的前提下,帮助设计师实现高效、可靠且紧凑的电路解决方案。