类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5Ω@10V,0.5A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 156pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.8pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD1NK60-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高压N通道MOSFET,具有优越的电气性能与广泛的应用潜力。作为一款600V额定电压和1A连续漏极电流的场效应管,这款器件适用于移动、供电和开关模式电源等多种电源管理应用。本产品的设计和性能使其成为现代电子设备中不可或缺的元器件之一。
STD1NK60-1的设计适用于高压开关和电源调节系统,其主要功能体现在以下几个方面:
STD1NK60-1作为意法半导体的优质产品,具备以下几个优势:
STD1NK60-1使用TO-251-3短引线封装,具备优良的散热性能与可靠性。通孔式安装让其与PCB的连接更加牢固,适合多种工艺的组装和安装要求。该封装设计简约且高效,适合各种自动化生产线。
STD1NK60-1是一款高性能、高可靠性和低功耗的600V N通道MOSFET,广泛适用于现代电源管理及控制系统。凭借其优秀的电气特性和先进的设计,STD1NK60-1为各种高压应用提供了强大的支持。无论是在家用电器、工业设备还是电动便携工具中,这款MOSFET都展现了无与伦比的价值与性能,是电子工程师必备的器件之一。