产品概述:STD3NK80ZT4
一、基本信息
STD3NK80ZT4 是由知名半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 DPAK(TO-252-3)封装,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。这款器件专为高压、高效率的电力电子应用而设计,具有出色的热性能和可靠性,能够在恶劣环境下稳定运行。
二、技术规格
- 封装类型:DPAK(TO-252-3),适合表面贴装(SMT)技术。
- 漏源极电压(Vdss):800V,能够承受高达 800V 的电压,非常适合高压电源应用和工业设备。
- 栅源电压(Vgss):±30V,这为栅极的控制提供了灵活性,确保在不同工作条件下都能正常驱动。
- 连续漏极电流(Id):2.5A(Tc),支持较大电流输出,适合应用在功率放大和开关模块中。
- 最大功率耗散:70W,能够在高负载条件下稳定运行,减少器件因过热而损坏的风险。
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适用于严酷的工作环境,如工业控制和汽车电子等领域。
三、性能参数
- 导通电阻(Rds(on)):在 10V 的栅极电压下,导通电阻最大值为 4.5Ω(在 Id 为 1.25A 时)。这意味着在正常工作条件下,功率损耗较低,能提升整体系统的效率。
- 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大为 4.5V(@ 50µA),表明该器件可以在较低的栅极电压下开启,提高了开关速度和控制精准度。
- 栅极电荷(Qg):在 10V 下的最大值为 19nC,表明在开关操作时需要较小的驱动能量,有利于节能和保护驱动电路。
- 输入电容(Ciss):在 25V 时最大为 485pF,低输入电容有助于提高开关频率,从而使产品在高频应用中表现更佳。
四、应用领域
STD3NK80ZT4 凭借其800V的高耐压和2.5A的电流能力,广泛用于如下应用:
- 电源管理:适用于AC-DC转换器、DC-DC变换器及UPS等电源模块,特别是在需要高能效和高可靠性的场合。
- 电机驱动:用于各种电动机的驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机(BLDC)等,具有良好的开关特性和热稳定性。
- 家电产品:在洗衣机、冰箱和空调等家用电器中,作为切换器和功率放大器,帮助实现高能效运行。
- 汽车电子:汽车电源管理、LED驱动和电机控制等领域均可使用,保证设备在极端环境下的稳定性和安全性。
五、总结
STD3NK80ZT4 N 沟道 MOSFET 结合高电压承受能力、优良的导通特性以及广泛的工作温度范围,使其成为高功率电路设计的理想选择。凭借意法半导体在半导体领域的深厚积累,该器件确保了可靠的电性能和优异的性价比,适合用于现代电子产品的各类应用。无论是在工业、消费电子、还是汽车电子领域,STD3NK80ZT4 都能满足客户对高效、可靠性能的期望。