STF15NM65N
STF15NM65N参数
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 983pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF15NM65N手册
STF15NM65N概述
STF15NM65N 产品概述
STF15NM65N 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。在现代电子设备中，MOSFET 被广泛应用于功率管理、开关电路以及其他需要高效能电子开关的领域。这款器件以其优异的电气特性和广泛的应用潜力，成为电源转换系统和驱动电路中的理想选择。
关键规格
STF15NM65N 的主要规格包括：
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 连续漏极电流（Id）：12A（Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：380mΩ @ 6A, 10V
- 最大功率耗散（Ptot）：30W（Ta=25°C）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：TO-220FP
电气特性分析
STF15NM65N 的漏源电压范围高达 650V，使其适合用于高压电源应用。在 25°C 的环境温度下，它能够承受高达 12A 的连续漏极电流，显示出其优良的承载能力。此外，漏源导通电阻为 380mΩ（@ 6A, 10V），这一低导通电阻有效降低了功率损失，提高了系统的效率。
该 MOSFET 的栅源阈值电压为 4V，这进一步提升了它在低电压驱动场合的应用潜力。栅极电荷（Qg）最大值为 33.3nC（@ 10V），指示了驱动该器件所需的输入功率，这对于高频开关应用尤为重要。
可靠性与适用环境
STF15NM65N 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，意味着它可以在严苛的环境中可靠工作。这项特性使其适合用于航空航天、工业控制以及汽车电子等场合，这些领域通常对元器件的工作稳定性和耐久性要求较高。
封装与安装
该 MOSFET 采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热性能和较高的耐用性。TO-220 封装可以方便地进行通孔安装，并支持多种散热解决方案，有助于保持设备在工作环境中的温度稳定。此外，适合的散热设计还可以大幅提升器件的功率耗散能力，延长其使用寿命。
应用领域
STF15NM65N 多样的电气特性使其在多个领域中发挥重要作用。常见应用包括：
- 电源转换器：在开关电源和逆变器中，STF15NM65N 可用于提升系统的效能和稳定性。
- 电动机驱动：可用于驱动 DC 电动机和步进电动机，尤其是在变频驱动应用中。
- 电源管理：广泛应用于电源调节器和开关稳压电源的设计中，以实现高效的功率管理。
- 汽车电子：可用于各种汽车控制系统，如电池管理系统和电动助力转向系统中。
结论
综上所述，STF15NM65N 是一款设计优良、性能卓越的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压、高连续漏极电流和宽广的工作温度范围，提供了多种应用选择。适应于高压环境以及严苛的工作条件，使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元器件。无论是在消费者电子、工业控制还是汽车电子方面，其卓越的性能和可靠性都为设计人员提供了良好的解决方案。