类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 295mΩ@10V,8.5A |
功率(Pd) | 40W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.07nF@50V |
STF18NM80是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,特别设计用于高电压和高功率的应用。这款MOSFET的关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为800V,连续漏极电流(Id)在25°C时可达17A,以及最大功率耗散(Ta=25°C)为40W,具有优秀的热管理能力和承载能力。
STF18NM80采用TO-220-3封装,该封装形式广泛应用于功率器件,便于散热与安装。TO-220封装不仅提供良好的热管理,还适合通孔安装,便于在各种PCB设计中的应用。
STF18NM80非常适合用于多个高功率和高电压的应用场景,包括:
STF18NM80作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其800V的高漏源电压、17A的高电流承载能力、低导通电阻、优良的热性能以及广泛的应用领域,为设计工程师提供了一个强大而可靠的解决方案。其优异的性能特点使得它可用于多种需要高效率和高可靠性的应用,无论是在电源管理、电动机控制、还是其他高功率电路中,均能充分展现其优势,推动了现代电子设备技术的发展。