STP100N8F6 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP100N8F6

商品编码: BM0000283905
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 176W 80V 100A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.95
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.95
--
1000+
¥1.81
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP100N8F6参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9mΩ@10V,50A
功率(Pd)176W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@40V输入电容(Ciss@Vds)5.955nF
反向传输电容(Crss@Vds)160pF工作温度-55℃~+175℃

STP100N8F6手册

STP100N8F6概述

STP100N8F6 产品概述

一、产品基本信息

STP100N8F6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-220-3封装,设计用于高电流和高电压的应用。其主要参数包括:最大漏源极电压(Vdss)为80V,连续漏极电流(Id)达到100A,并且能够在极高的功率耗散(最大176W)下稳定工作。

二、技术参数

STP100N8F6器件的关键技术参数如下:

  • 封装类型:TO-220-3,适合通孔安装(THT)
  • FET类型:N沟道
  • 漏源极电压(Vdss):80V,便于在多种高压应用中使用
  • 栅源电压(Vgss):±20V,确保了良好的栅极驱动能力
  • 最大连续漏极电流(Id):100A@25°C,显示出该MOSFET在高电流应用中的能力
  • 导通电阻(Rds On):9毫欧@50A,10V,极低的导通电阻能够有效降低功耗并提高效率
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大4V@250µA,确保了器件快速开关能力
  • 栅极电荷(Qg):最大100nC@10V,表明栅驱动的快速响应性能
  • 输入电容(Ciss):5955pF@25V,确保了高频率下的良好性能
  • 工作温度范围:-55°C到175°C(TJ),适用于极端温度条件下的应用
  • 最大功率耗散:176W@Tc,适应高功率需求

三、应用场景

STP100N8F6因其出色的规格和性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源:在高效能开关电源中,该MOSFET能够充当主要的高速开关元件,有效降低能量损耗。

  2. 电机驱动:在电动机控制中,STP100N8F6能够提供高电流。其快速开关特性能够实现精确的控制,提升电机的运行效率。

  3. 交流/直流转换器:STP100N8F6尤其适用于日常电力转换应用,比如光伏逆变器和UPS系统中,能以其高电压和电流支持过载情况。

  4. 电动汽车:作为电动汽车中的功率开关,STP100N8F6能够处理较高的电流,同时承受恶劣的环境条件。

  5. LED驱动:在LED驱动电源中,能够实现高效控制,提供恒定电流,确保LED的稳定性和长寿命。

四、优势特点

  • 高功率处理能力:176W的功率耗散能力,使其适应多种高功率应用而不易过热。

  • 低导通电阻:9毫欧的低导通电阻,确保在导通状态下的效率,减少发热。

  • 宽工作温度范围:-55°C到175°C的温度范围,使得STP100N8F6能够在极端环境中可靠运行。

  • 高效率:结合其高漏源极电压和低导通电阻,确保产品在多种应用中的高效率运行。

  • 强大的品牌支持:由知名半导体公司STMicroelectronics推出,产品质量具有保障,并享有良好的技术支持。

五、总结

STP100N8F6是一款出色的N沟道MOSFET,具备高效能、耐高温和超高电流承载能力,适用于多个领域,如开关电源、电动机驱动和功率转换器等。无论是在工业应用还是在消费电子中,它都能提供稳定且高效的性能。对于寻求耐用和高效解决方案的设计师和工程师来说,STP100N8F6无疑是一个理想的选择。