类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,50A |
功率(Pd) | 176W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 100nC@40V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.955nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 160pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
一、产品基本信息
STP100N8F6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-220-3封装,设计用于高电流和高电压的应用。其主要参数包括:最大漏源极电压(Vdss)为80V,连续漏极电流(Id)达到100A,并且能够在极高的功率耗散(最大176W)下稳定工作。
二、技术参数
STP100N8F6器件的关键技术参数如下:
三、应用场景
STP100N8F6因其出色的规格和性能,适用于多种应用场景,包括但不限于:
开关电源:在高效能开关电源中,该MOSFET能够充当主要的高速开关元件,有效降低能量损耗。
电机驱动:在电动机控制中,STP100N8F6能够提供高电流。其快速开关特性能够实现精确的控制,提升电机的运行效率。
交流/直流转换器:STP100N8F6尤其适用于日常电力转换应用,比如光伏逆变器和UPS系统中,能以其高电压和电流支持过载情况。
电动汽车:作为电动汽车中的功率开关,STP100N8F6能够处理较高的电流,同时承受恶劣的环境条件。
LED驱动:在LED驱动电源中,能够实现高效控制,提供恒定电流,确保LED的稳定性和长寿命。
四、优势特点
高功率处理能力:176W的功率耗散能力,使其适应多种高功率应用而不易过热。
低导通电阻:9毫欧的低导通电阻,确保在导通状态下的效率,减少发热。
宽工作温度范围:-55°C到175°C的温度范围,使得STP100N8F6能够在极端环境中可靠运行。
高效率:结合其高漏源极电压和低导通电阻,确保产品在多种应用中的高效率运行。
强大的品牌支持:由知名半导体公司STMicroelectronics推出,产品质量具有保障,并享有良好的技术支持。
五、总结
STP100N8F6是一款出色的N沟道MOSFET,具备高效能、耐高温和超高电流承载能力,适用于多个领域,如开关电源、电动机驱动和功率转换器等。无论是在工业应用还是在消费电子中,它都能提供稳定且高效的性能。对于寻求耐用和高效解决方案的设计师和工程师来说,STP100N8F6无疑是一个理想的选择。