STP100N8F6

STP100N8F6 产品概述

一、产品基本信息

STP100N8F6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-220-3封装，设计用于高电流和高电压的应用。其主要参数包括：最大漏源极电压（Vdss）为80V，连续漏极电流（Id）达到100A，并且能够在极高的功率耗散（最大176W）下稳定工作。

二、技术参数

STP100N8F6器件的关键技术参数如下：

• 封装类型：TO-220-3，适合通孔安装（THT）
• FET类型：N沟道
• 漏源极电压（Vdss）：80V，便于在多种高压应用中使用
• 栅源电压（Vgss）：±20V，确保了良好的栅极驱动能力
• 最大连续漏极电流（Id）：100A@25°C，显示出该MOSFET在高电流应用中的能力
• 导通电阻（Rds On）：9毫欧@50A，10V，极低的导通电阻能够有效降低功耗并提高效率
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大4V@250µA，确保了器件快速开关能力
• 栅极电荷（Qg）：最大100nC@10V，表明栅驱动的快速响应性能
• 输入电容（Ciss）：5955pF@25V，确保了高频率下的良好性能
• 工作温度范围：-55°C到175°C（TJ），适用于极端温度条件下的应用
• 最大功率耗散：176W@Tc，适应高功率需求

三、应用场景

STP100N8F6因其出色的规格和性能，适用于多种应用场景，包括但不限于：

1. 开关电源：在高效能开关电源中，该MOSFET能够充当主要的高速开关元件，有效降低能量损耗。

2. 电机驱动：在电动机控制中，STP100N8F6能够提供高电流。其快速开关特性能够实现精确的控制，提升电机的运行效率。

3. 交流/直流转换器：STP100N8F6尤其适用于日常电力转换应用，比如光伏逆变器和UPS系统中，能以其高电压和电流支持过载情况。

4. 电动汽车：作为电动汽车中的功率开关，STP100N8F6能够处理较高的电流，同时承受恶劣的环境条件。

5. LED驱动：在LED驱动电源中，能够实现高效控制，提供恒定电流，确保LED的稳定性和长寿命。

四、优势特点

• 高功率处理能力：176W的功率耗散能力，使其适应多种高功率应用而不易过热。

• 低导通电阻：9毫欧的低导通电阻，确保在导通状态下的效率，减少发热。

• 宽工作温度范围：-55°C到175°C的温度范围，使得STP100N8F6能够在极端环境中可靠运行。

• 高效率：结合其高漏源极电压和低导通电阻，确保产品在多种应用中的高效率运行。

• 强大的品牌支持：由知名半导体公司STMicroelectronics推出，产品质量具有保障，并享有良好的技术支持。

五、总结

STP100N8F6是一款出色的N沟道MOSFET，具备高效能、耐高温和超高电流承载能力，适用于多个领域，如开关电源、电动机驱动和功率转换器等。无论是在工业应用还是在消费电子中，它都能提供稳定且高效的性能。对于寻求耐用和高效解决方案的设计师和工程师来说，STP100N8F6无疑是一个理想的选择。