类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 790pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.6pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP13NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优越的电气特性和可靠的工作性能,广泛应用于电力电子、开关电源、电机驱动和其他高频开关环境中。其主要参数包括最大漏源电压(Vdss)为600V,最大连续漏极电流(Id)为11A,功率耗散可达90W(在50°C环境下适当散热)。该器件采用TO-220-3封装,方便安装并具有良好的散热能力,适合多种电子电路设计需求。
STP13NM60N因其优良的电气参数,适合多种应用场景,包括但不限于:
采用TO-220-3封装的STP13NM60N不仅提供了良好的电气连接,还具有良好的散热特性。为保持器件在额定功率下的安全工作,建议设计合适的散热器或使用更高效的散热材料和方案。此外,具备高工作温度范围,使其在各种环境条件下都能保持稳定的性能。
STP13NM60N是一款功能强大且高度可靠的N沟道MOSFET,适合于需要高电压、高电流和高效率操作的应用场合。其多项优越的电气特性以及良好的温度稳定性,使得其成为电源管理、驱动电路及高频开关电路中的理想选择。通过恰当的热管理,STP13NM60N能够满足严格的性能要求,为用户提供安全、稳定的技术支持。