类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,8A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 345pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP16NF06L 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点包括优良的电气性能、单个 TO-220 封装以及宽广的工作温度范围,使其在多个电子应用领域中提供可靠的解决方案。这款 MOSFET 特别适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动电路。
STP16NF06L 采用 TO-220-3 封装,便于散热的性能设计,适应于各种通孔安装类型。这种封装能够有效实现良好的热管理,符合高功率应用的需求。同时,TO-220 封装也为用户提供了方便的焊接和安装体验。
STP16NF06L 的广泛应用主要包括但不限于以下几个方面:
STP16NF06L 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,在电力电子领域展现出极高的适应性。无论是在高频开关的应用中,还是在需要高电流承载能力的场合,它都能提供可靠而高效的解决方案。其 TO-220 封装设计不仅方便用户的使用与安装,而且能够确保器件在不同工作条件下的稳定性。针对各类应用需求,STP16NF06L 将是设计工程师们的重要选择。