类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 54nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STP20NM60FP 是由意法半导体 (STMicroelectronics) 推出的一款高性能N沟道MOSFET场效应管,广泛应用于高压开关电路、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动等电子应用中。其极佳的电气性能和热特性使其成为工业和消费类电子产品的重要组成部分。
STP20NM60FP具有以下关键技术参数:
STP20NM60FP的最大结温可达到150°C,适应于恶劣环境下的严格工作条件。该 MOSFET 采用TO-220封装,易于散热和安装,适用于直插式的电路板设计,因此在散热控制上表现出了良好的性能,特别在高功率应用中尤为重要。
基于优异的电气特性,STP20NM60FP广泛适用于:
鉴于其低导通电阻和功率消耗,STP20NM60FP能够显著提高系统的能量效率,并减少由于功率损耗产生的热量。这不仅降低了整体功耗,还延长了设备的使用寿命,助力可持续发展的设计理念。
STP20NM60FP凭借其卓越的性能、宽广的应用范围和可靠的节能特性,成为广受欢迎的N沟道MOSFET选择。无论是在工业还是消费电子领域,其灵活性与高效性都使得它能够适应快速变化的技术需求,为各种创新产品和解决方案提供可靠的支持。
无论您是设计工程师还是电子产品开发者,STP20NM60FP将为您的产品带来更高的性能,助力您在严峻的市场竞争中脱颖而出。