类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 38A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@10V,19A |
功率(Pd) | 80W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.73nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 63pF@25V | 工作温度 | -65℃~+175℃ |
STP45NF06是一款高性能N沟道MOSFET,专为高效率和高电流应用而设计。该器件的封装采用TO-220-3,提供良好的散热性能,适合在电源管理、逆变器、DC-DC转换器,以及各类电力电子设备中使用。其最大漏源极电压为60V,额定负载电流为38A,使其成为满足多种应用需求的理想选择。此器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具有卓越的电气性能和出色的热性能。
电气参数:
电容特性:
驱动特性:
功率和热管理:
由于其卓越的电气特性,STP45NF06广泛应用于以下领域:
STP45NF06是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,适应于高电流和中等电压的应用场景。它结合了低导通电阻、出色的功率处理能力和优秀的热稳定性,确保了广泛的应用灵活性和高性能。无论是在电源管理还是电动机控制领域,该器件都能提供稳定、高效的解决方案。根据不同的负载和工作环境条件,工程师们可以充分利用STP45NF06的特性,实现所需的设计目标,提升整体系统的效率和性能。