STP6NK60ZFP
STP6NK60ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 905pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP6NK60ZFP手册
STP6NK60ZFP概述
STP6NK60ZFP 产品概述
STP6NK60ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具备高达 600V 的漏源电压（Vdss）和 6A 的连续漏极电流（Id），使其在许多高压和中等电流的应用中都能表现出色。它的紧凑封装采用标准的 TO-220-3 整包设计，适合需要散热效率的电路，广泛应用于电源管理及开关电源等领域。
主要特性
高漏源电压: 该器件的最大漏源电压为 600V，适合用于高压供电系统，为设计人员提供了更大的灵活性和安全边际。
极低的导通电阻: 在3A@10V的条件下，该MOSFET的漏源导通电阻（Rds(on)）低至 1.2Ω，这意味着在工作时能显著降低能量损耗及发热，提高系统的整体效率。
宽工作温度范围: STP6NK60ZFP 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，经过测试能够在极端环境下稳定工作，适合高温和严酷条件下的应用。
门阈电压: 栅源极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V @ 100µA，允许设计人员使用较低的栅极驱动电压，使其在驱动电路设计时变得简单。
快速开关特性: 该器件的栅极电荷（Qg）为 46nC @ 10V，保证了快速的开关响应，这对于高速开关模式电源尤其重要，有助于提高电源转化效率并降低 EMI（电磁干扰）。
优异的散热性能: 由于采用了 TO-220 封装，使得该器件具备良好的热管理性能，最大功率耗散能力可达 30W（在 Tc=25°C 时），可与相应的散热器搭配使用以处理更高的功率需求。
高输入电容: 在Vds=25V下，输入电容（Ciss）为 905pF，这进一步增强了其在高频应用中的稳定性和可靠性。
应用场景
由于其出色的性能和宽广的适用范围，STP6NK60ZFP 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源: 采用在DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源适配设备中，以提高能源效率和系统响应速度。
电动机驱动: 用于控制电机的开关及调速，尤其在逆变器和电机驱动板中发挥重要功效。
焊接设备: 在高频焊接和脉冲焊接应用中，能够提供稳定和强大的开关能力。
电力管理系统: 用于逆变器、电源分配器等高压电力系统，保障系统稳定性，高效工作。
总结
STP6NK60ZFP 是一款具有优良性能参数的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压和低导通电阻，适用于广泛的工业应用。得益于其卓越的电气特性和坚固的物理设计，该产品在实际电路设计中的灵活应用使其成为高效能电子设备的优秀选择。无论是在高温环境下的稳定操作，还是在快速开关能力需求的场合，STP6NK60ZFP 均能为设计师提供理想解决方案。