类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 75A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@10V,37A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
STP75NF20 产品概述
在现代电子设计中,高效能的开关元器件是不可或缺的,尤其是在电源管理和电动机控制领域。STP75NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有卓越的性能和广泛的应用潜力。其关键性能参数使其成为多种高功率电子应用中的理想选择。
STP75NF20 特别设计用于高压和高电流的应用场景。它的连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 75A,结合可耐受的漏源电压(Vdss)高达 200V,使其在电源转换、开关电源和电动机驱动等场合非常受欢迎。该器件的功率耗散能力也相当优秀,最大功率耗散在 Tc 情况下可达 190W,为电路设计提供了更大的灵活性和安全裕量。
STP75NF20 的漏源导通电阻(Rds(on))为 34mΩ,这一参数在 37A 和 10V 的条件下测得。这意味着在高负载情况下,该 MOSFET 能够保持低的电能损耗,从而提高系统效率。此外,栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4V @ 250µA,确保其在相对较低的驱动电压下也可实现良好的导通状态,从实用角度,为设计者减小了驱动电路的复杂性。
该器件的工作温度范围从 -55°C 至 150°C,这使得 STP75NF20 适用于各种严苛环境下的应用,如汽车电子和工业控制。同时,其安装类型为通孔(Through Hole),封装形式为 TO-220AB。这种封装设计不仅便于散热,也方便与电路板的连接,提高了组装效率。
STP75NF20 的输入电容(Ciss)在多种电压条件下表现稳定,最大值为 3260pF @ 25V,而栅极电荷(Qg)在 10V 的条件下为 84nC。这些参数在高频开关应用下尤其重要,能够在一定程度上降低驱动电路的功耗,提高工作频率。
STP75NF20 的应用领域广泛,尤其是在以下几个方面表现突出:
STP75NF20 是一款具有高性能和多用途的 N 沟道 MOSFET,凭借其完备的电气特性及强大的功率处理能力,正在不断推动电子设备向更高效、更可靠的方向发展。对于设计工程师来说,这一器件所提供的低导通电阻、高电压和高电流能力无疑会在实际应用中带来益处。无论是在电源管理还是电动机控制领域,STP75NF20 均展现出优越的适用性,成为电子产品设计时的重要选择。