STP7NK40Z 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP7NK40Z

商品编码: BM0000283916
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.98g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 70W 400V 5.4A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.65
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.65
--
1000+
¥1.53
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP7NK40Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)5.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@10V,2.7A
功率(Pd)70W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)535pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP7NK40Z手册

STP7NK40Z概述

STP7NK40Z 产品概述

STP7NK40Z 是一种高性能的 N 通道 MOSFET,广泛用于各类电子设备中,尤其在高压开关电源、马达驱动、照明控制以及高频功率转换等应用场景中具备显著的优势。作为意法半导体(STMicroelectronics)出品的一款 MOSFET,STP7NK40Z 具有优异的电气特性和强大的功率处理能力,是设计工程师在选择元器件时的理想选择。

基本参数与特性

  • 漏源电压 (Vdss): STP7NK40Z 的漏源电压高达 400V,使其适合用于高压工作环境中。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时,STP7NK40Z 的连续漏极电流为 5.4A (Tc),这为各种实际应用提供了稳定的电流输出。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该产品具有较低的栅源极阈值电压为 4.5V @ 50µA,保证了在较低电压下也能可靠地导通,降低了开关损耗。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V、Id 为 2.7A 时,漏源导通电阻为 1Ω,这有助于减小导通损耗,提高电源效率。
  • 驱动电压: 该 MOSFET 的参数表明,最小和最大驱动电压均为 10V,确保了在特定应用中具有良好的驱动能力。
  • 输入电容 (Ciss): STP7NK40Z 的输入电容 (Ciss) 最高可达 535pF @ 25V,表明其在高频开关应用中的响应速度。

能耗与温度特性

  • 最大功率耗散: 在 25°C 的环境下,该 MOSFET 最大功率耗散为 70W (Tc),这使得其在高强度工作条件下仍能保持出色的性能。
  • 工作温度范围: STP7NK40Z 可以在 -55°C 到 150°C 的宽温环境下工作,确保了其在极端温度条件下的可靠性和稳定性。

封装及安装

  • 封装类型: STP7NK40Z 采用 TO-220AB 封装,这种通孔封装形式工作稳定且便于散热,适合在空间有限的系统中发挥优势。
  • 供应商器件封装: TO-220-3 封装设计优化了散热性能,确保在高负载情况下不会过热。

应用领域

由于其卓越的电气性能,STP7NK40Z 常被应用于多种领域,包括:

  • 开关电源: 适用于高效率的开关电源设计,为电源管理提供可靠的开关控制。
  • 马达控制: 适合用于电动机驱动中,提供高效的开关方式以控制电机转速。
  • 照明控制: 使用在调光和电源调节中,有助于提升照明设备的功率效率。
  • 消费电子: 应用于高功率消费电子产品,满足对可靠性和性能的要求。

结论

STP7NK40Z 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,以其优异的电气特性,适应广泛的应用需求。无论是在高压开关电源、马达驱动,还是在工业控制和消费电子领域,STP7NK40Z 都能为工程师提供高性能、高效率的解决方案。凭借意法半导体的品牌价值和产品质量,STP7NK40Z 赢得了广泛的市场认可,成为许多设计师在选用 MOSFET 时的首选。