类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 20A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 192W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 54nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STW20NM60 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件特别适用于高压和大电流的应用场景,具有良好的开关性能和低导通电阻,使其在各种电子设备中表现出色。凭借其 600V 的漏源电压(Vdss)、20A 的连续漏极电流(Id),以及193W的最大功率耗散能力,STW20NM60 是工业和消费电子领域的理想选择。
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 20A (在 25°C 的情况下)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 5V @ 250µA
导通电阻(Rds On): 290mΩ @ 10A, 10V
功率耗散能力: 192W (当环境温度 Ta = 25°C)
工作温度范围: -55°C 到 150°C
封装类型: TO-247-3
STW20NM60 的主要特性在于其高开关速率与低损耗,适用于以下应用领域:
开关电源: 适用于高效电源转换和能量管理,提供稳定的输出功率性能。
马达控制: 在电动机驱动及控制系统中,利用其高电流能力及开关特性,可实现高效的动力转换。
逆变器: 适应于太阳能逆变器和电动车的电力转换,在能量转化中保持高效性。
终端设备: 如家用电器、工业控制系统等需高电流和高电压操作的设备中。
高效能: 其低导通电阻带来较少的功耗,降低了热损耗问题,延长了器件的使用寿命。
温度稳定性: 能够在较高的工作温度下保持性能稳定,通过合理的散热设计,可在更极端的条件下继续工作。
极大兼容性: 适用于多种驱动电压与控制方案,使其在各种应用中都能发挥出色的性能。
设计灵活性: TO-247-3 封装设计支持多种安装方式,简化了设计过程,增强了应用设计的灵活性。
STW20NM60 MOSFET 结合了高电压和高电流处理能力,使其成为诸多应用的理想选择。无论是在功率转换、马达驱动,还是在高效率的开关电源中,STW20NM60 的表现都能满足现代电子设计的严苛要求。随着电子产品对能效和性能的进一步追求,该器件将在未来的市场中扮演重要的角色。