类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 18.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10A,10V |
功率(Pd) | 38.5W;2.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.71nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SUD19P06-60-E3 是由 VISHAY(威世)公司生产的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于多种电源管理和开关控制应用。这款 MOSFET 采用 TO-252(D-Pak)封装,结合其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,使其成为设计工程师的理想选择。以下是对该产品的详细介绍。
SUD19P06-60-E3 的主要特性包括:
SUD19P06-60-E3 采用 TO-252(D-Pak)封装,这是一种表面贴装型(SMT)封装,具备良好的散热性能和编排灵活性。由于其紧凑的设计和较低的外形高度,该封装方式适合于电路板面积受限的应用场合。D-Pak 结构使得器件能够在高温工作时仍能有效散热,降低失败风险。
SUD19P06-60-E3 的高性能特征使其广泛应用于以下领域:
SUD19P06-60-E3 是一种具有优异电气性能、优良散热特性和可靠性的 P 通道 MOSFET,适合于多种要求高电压和大电流的应用。通过其高效率和稳定性,SUD19P06-60-E3 能够帮助电子工程师设计出更高效、可靠的电源系统和控制设备。无论是在开关电源、电机控制,还是其他高功率应用中,SUD19P06-60-E3 都是值得信赖的选择。