类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 375W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.12nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 24pF@100V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SUM90142E-GE3 产品概述
SUM90142E-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用 TO-263-3 封装(也称 D²Pak)设计。此器件主要适用于高压、高电流的应用场合,是现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。
SUM90142E-GE3 的主要电气特性包括:
高漏源极电压(Vdss):其漏源极电压值为 200V,能够在高电压环境下稳定工作,适合用于电源管理、驱动电路等严苛条件下的电子设备。
连续漏极电流(Id):在 25°C 条件下,该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 90A(热源温度 Tc)。这使其能够在高负载条件下保持良好的电性能,适合用于要求较高的功率转换应用。
栅源电压(Vgss):其栅源电压最大值可达 ±20V,这意味着该元器件具备较好的驱动灵活性和兼容性,使其适合多种电路设计。
导通电阻(Rds(on)):在 10V 栅电压和 30A 漏极电流条件下,最大导通电阻为 15 毫欧,确保了在开关频繁的应用中,能够减少功耗,提高效率。
栅极电荷(Qg):其栅极电荷最大值为 87nC(在 10V 驱动下),这使得器件在快速开关应用中表现良好,有效降低开关损耗。
输入电容(Ciss):在 100V 时输入电容最大值为 3120pF,表现出良好的开关性能,适用于快速开关的电路设计。
功率耗散:该器件的最大功率耗散为 375W(在 Tc 下),显示出其在高功率环境下的卓越性能。
SUM90142E-GE3 能够在极为宽广的工作温度范围内运作,工作温度为 -55°C 至 175°C(TJ),使得它适用于恶劣环境下的电子设备。该器件的耐高温特性使其在汽车电子、工业控制及高性能计算等领域的应用受到广泛欢迎。
SUM90142E-GE3 采用 TO-263-3 封装形式(D²Pak 封装),适合表面贴装(SMT)技术,精简了电路板的空间占用,从而提高了设计的灵活性和便捷性。同时,该封装设计提供了良好的热管理,能够有效散热,确保器件在高功率下的可靠性。
SUM90142E-GE3 MOSFET 适用于多种应用环境,包括但不限于:
SUM90142E-GE3 是一款经济高效、高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围,适合用作高效率电源转换及驱动电路的关键元件。无论是在工业应用还是消费类电子产品中,这款器件都能为设计师提供可靠的解决方案,实现高效能与高可靠性的目的。