SUM90142E-GE3

SUM90142E-GE3 产品概述

SUM90142E-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 TO-263-3 封装（也称 D²Pak）设计。此器件主要适用于高压、高电流的应用场合，是现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。

基本特性

SUM90142E-GE3 的主要电气特性包括：

1. 高漏源极电压（Vdss）：其漏源极电压值为 200V，能够在高电压环境下稳定工作，适合用于电源管理、驱动电路等严苛条件下的电子设备。

2. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 条件下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 90A（热源温度 Tc）。这使其能够在高负载条件下保持良好的电性能，适合用于要求较高的功率转换应用。

3. 栅源电压（Vgss）：其栅源电压最大值可达 ±20V，这意味着该元器件具备较好的驱动灵活性和兼容性，使其适合多种电路设计。

4. 导通电阻（Rds(on））：在 10V 栅电压和 30A 漏极电流条件下，最大导通电阻为 15 毫欧，确保了在开关频繁的应用中，能够减少功耗，提高效率。

5. 栅极电荷（Qg）：其栅极电荷最大值为 87nC（在 10V 驱动下），这使得器件在快速开关应用中表现良好，有效降低开关损耗。

6. 输入电容（Ciss）：在 100V 时输入电容最大值为 3120pF，表现出良好的开关性能，适用于快速开关的电路设计。

7. 功率耗散：该器件的最大功率耗散为 375W（在 Tc 下），显示出其在高功率环境下的卓越性能。

工作条件及适用环境

SUM90142E-GE3 能够在极为宽广的工作温度范围内运作，工作温度为 -55°C 至 175°C（TJ），使得它适用于恶劣环境下的电子设备。该器件的耐高温特性使其在汽车电子、工业控制及高性能计算等领域的应用受到广泛欢迎。

封装与安装

SUM90142E-GE3 采用 TO-263-3 封装形式（D²Pak 封装），适合表面贴装（SMT）技术，精简了电路板的空间占用，从而提高了设计的灵活性和便捷性。同时，该封装设计提供了良好的热管理，能够有效散热，确保器件在高功率下的可靠性。

应用场景

SUM90142E-GE3 MOSFET 适用于多种应用环境，包括但不限于：

• 电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器中充当开关元件，有效提高电源效率，降低能耗。
• 驱动电路：用于驱动电机或其他电气负载，具备良好的开关性能和高电流承载能力。
• 工业控制：可广泛应用于工业自动化设备、机器人、伺服驱动等领域。
• 汽车电子：在汽车电源系统、LED 驱动和动力总成控制等应用中有重要作用。

结论

SUM90142E-GE3 是一款经济高效、高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，适合用作高效率电源转换及驱动电路的关键元件。无论是在工业应用还是消费类电子产品中，这款器件都能为设计师提供可靠的解决方案，实现高效能与高可靠性的目的。