UMG3NTR 产品实物图片
UMG3NTR 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

UMG3NTR

商品编码: BM0000284006
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT5
包装 : 
编带
重量 : 
0.026g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-353
库存 :
9647(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.312
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.312
--
200+
¥0.201
--
1500+
¥0.175
--
3000+
¥0.155
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMG3NTR参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V
输入电阻4.7kΩ工作温度-55℃~+150℃

UMG3NTR手册

UMG3NTR概述

UMG3NTR 产品概述

UMG3NTR 是由日本知名半导体制造商 ROHM(罗姆)设计和推出的一款高性能数字晶体管,其具有出色的电气性能和应用灵活性,适用于多种电子产品中的信号放大和开关电路。该产品采用了表面贴装技术,适合现代电子设备的小型化需求,广泛应用于手机、数码相机、计算机及其他消费电子产品的电源管理和信号处理模块。

基本规格

UMG3NTR 的核心特性包括:

  • 晶体管类型:该器件是一个双NPN预偏置晶体管,具有两个独立的NPN结构,提供增强的开关控制能力。
  • 电压等级:其集射极击穿电压(Vceo)上限为50V,意味着其在高电压环境下的可靠性和耐受性强。
  • 集电极电流:UMG3NTR 的最大集电极电流为100mA,适合驱动小负载的应用场合。
  • 功率谱:该器件的最大功耗为150mW,能够在较高功率需求的应用中稳定工作而不会损坏。
  • 电流增益:具有最小电流放大倍数(hFE)为100,确保在1mA的基极电流和5V的工作环境下,能够提供足够的输出强度。
  • 工作频率:其跃迁频率可达250MHz,能够处理高速信号,适合用于RF(射频)应用。

封装和安装

UMG3NTR 采用紧凑的5-TSSOP、SC-70-5和SOT-353封装形式,提供了多样的安装选项,便于在各种电路板设计中获得优化布局,提升整体性能。作为一款表面贴装(SMT)器件,其便于自动化生产,节省了生产和组装成本。

特性与优势

  1. 高性能:UMG3NTR 的设计考虑到高效能与低功耗的需求,能够在各种操作条件下保持良好的工作稳定性。尤其在需要快速响应和大增益的应用场合,它会表现出色。

  2. 增强的耐用性:它能够承受较高的电压和电流,适合用于要求严苛的应用,提升了系统的可靠性。

  3. 灵活的应用场景:由于其出色的频率特性和电流放大能力,UMG3NTR 能够被广泛应用于开关电源、音频放大器、射频放大器,甚至是微控制器的外部信号处理。

  4. 小型化设计:随着电子产品向小型化和轻量化发展,UMG3NTR 的小巧封装使其成为紧凑型电子设备的理想选择,用户能够在有限空间内实现更强的功能。

应用领域

UMG3NTR 广泛适用于以下领域:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、数码相机及家用电器等,成为信号放大和开关控制的重要元器件。
  • 计算机和外围设备:用于数据传输和电源管理,在各种计算和存储设备中发挥重要作用。
  • 汽车电子:在汽车内部电源管理和信号调控中,帮助实现设备的智能化控制。
  • 工业设备:用于传感器信号处理、动力驱动等场合,提升设备的智能化和自动化水平。

总结

UMG3NTR 是一款卓越的双NPN预偏置数字晶体管,结合了高电压、强大功率和频率响应性能,更加适合现代复杂电子系统的应用。ROHM 深厚的半导体技术积累和严格的生产标准,使得这一产品在品质和性能上都得到了保证,成为工程师在设计电子应用时的优选组件。无论在消费电子,计算机,汽车电子还是工业设备中,UMG3NTR 都能为开发者提供可靠且高效的解决方案。