集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V |
UMH9NTN 是一款由 ROHM(罗姆)公司设计和制造的高性能数字晶体管,采用 SOT-363 封装,适用于各种电子设备中的信号放大和开关应用。该产品以其出色的电气特性和小型化设计,广泛应用于移动通信、消费电子、工业控制等领域。
UMH9NTN 的设计提供了一系列优良的性能参数:
额定功率:该晶体管在最大工作状态下可以承受的功率为 150 mW,适合进行低功率信号的放大。
集电极电流 (Ic):其最大集电极电流为 100 mA,使其能有效地处理高达 100 mA 的负载电流,适合多种驱动电路。
集射极击穿电压 (Vce):具有 50V 的最大集射极击穿电压,可以有效防止由于电压峰值导致的损害,提高了设备的可靠性。
电流 - 集电极截止 (最大值):集电极截止电流为 500 nA,具有极低的漏电流,确保了设备在待机模式下的能效。
DC 电流增益 (hFE):在频率 5V 和电流 5mA 下,最小直流电流增益 (hFE) 为 68,保证了其在低信号条件下仍具备良好信号放大能力。
饱和压降:在 250 µA 的基极电流和 5 mA 的集电极电流下,Vce 的饱和压降最大为 300 mV,这意味着在开关状态下的损失非常小,提升了整体能效。
频率响应:该产品的跃迁频率可达到 250 MHz,具备高速开关能力,适合 PWM 控制、射频信号放大等应用。
表面贴装型设计:UMH9NTN 采用 SOT-363 封装,符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求,便于自动化生产。
UMH9NTN 以其卓越的性能适用于以下应用场景:
移动通信设备:由于其高频特性和低功耗特点,该晶体管可以用于手机、平板电脑和其他便携式设备的信号处理与放大。
消费电子产品:在电视机、音响、游戏机等设备内,UMH9NTN 可用于控制开关和信号放大,以提升功能与用户体验。
工业控制:在传感器和控制系统中,该晶体管凭借其高可靠性和良好的匹配特性,可实现高效的信号开关与处理。
自动化设备:在机器人和智能设备中,UMH9NTN 可用于控制电机和执行器,促进系统的精确控制和响应。
总之,UMH9NTN 作为一款功能强大的 NPN 预偏置数字晶体管,结合其优异的电气性能、灵活的应用范围以及小型化设计,成为了现代电子装置的理想选择。ROHM 提供的此款晶体管,不仅满足了电子行业不断增长的复杂需求,更在各个应用场景中展现出其可靠性和出色的性能,是设计人员在电路设计中不可或缺的一员。无论是在普通生活的消费电子还是在高要求的工业控制系统,UMH9NTN 都将为用户带来超越预期的性能体验。