UMH9NTN 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

UMH9NTN

商品编码: BM0000284009
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
0.025g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
库存 :
151285(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.323
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.323
--
200+
¥0.209
--
1500+
¥0.181
--
3000+
¥0.16
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMH9NTN参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V

UMH9NTN手册

UMH9NTN概述

UMH9NTN 产品概述

UMH9NTN 是一款由 ROHM(罗姆)公司设计和制造的高性能数字晶体管,采用 SOT-363 封装,适用于各种电子设备中的信号放大和开关应用。该产品以其出色的电气特性和小型化设计,广泛应用于移动通信、消费电子、工业控制等领域。

主要特性

UMH9NTN 的设计提供了一系列优良的性能参数:

  1. 额定功率:该晶体管在最大工作状态下可以承受的功率为 150 mW,适合进行低功率信号的放大。

  2. 集电极电流 (Ic):其最大集电极电流为 100 mA,使其能有效地处理高达 100 mA 的负载电流,适合多种驱动电路。

  3. 集射极击穿电压 (Vce):具有 50V 的最大集射极击穿电压,可以有效防止由于电压峰值导致的损害,提高了设备的可靠性。

  4. 电流 - 集电极截止 (最大值):集电极截止电流为 500 nA,具有极低的漏电流,确保了设备在待机模式下的能效。

  5. DC 电流增益 (hFE):在频率 5V 和电流 5mA 下,最小直流电流增益 (hFE) 为 68,保证了其在低信号条件下仍具备良好信号放大能力。

  6. 饱和压降:在 250 µA 的基极电流和 5 mA 的集电极电流下,Vce 的饱和压降最大为 300 mV,这意味着在开关状态下的损失非常小,提升了整体能效。

  7. 频率响应:该产品的跃迁频率可达到 250 MHz,具备高速开关能力,适合 PWM 控制、射频信号放大等应用。

  8. 表面贴装型设计:UMH9NTN 采用 SOT-363 封装,符合现代电子设备对小型化和轻量化的需求,便于自动化生产。

应用领域

UMH9NTN 以其卓越的性能适用于以下应用场景:

  • 移动通信设备:由于其高频特性和低功耗特点,该晶体管可以用于手机、平板电脑和其他便携式设备的信号处理与放大。

  • 消费电子产品:在电视机、音响、游戏机等设备内,UMH9NTN 可用于控制开关和信号放大,以提升功能与用户体验。

  • 工业控制:在传感器和控制系统中,该晶体管凭借其高可靠性和良好的匹配特性,可实现高效的信号开关与处理。

  • 自动化设备:在机器人和智能设备中,UMH9NTN 可用于控制电机和执行器,促进系统的精确控制和响应。

结语

总之,UMH9NTN 作为一款功能强大的 NPN 预偏置数字晶体管,结合其优异的电气性能、灵活的应用范围以及小型化设计,成为了现代电子装置的理想选择。ROHM 提供的此款晶体管,不仅满足了电子行业不断增长的复杂需求,更在各个应用场景中展现出其可靠性和出色的性能,是设计人员在电路设计中不可或缺的一员。无论是在普通生活的消费电子还是在高要求的工业控制系统,UMH9NTN 都将为用户带来超越预期的性能体验。