US1M-13-F
US1M-13-F参数
| 反向恢复时间（trr） | 75ns | 直流反向耐压（Vr） | 1kV |
| 平均整流电流（Io） | 1A | 正向压降（Vf） | 1.7V @ 1A |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 75ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
US1M-13-F手册
US1M-13-F概述
US1M-13-F 产品概述
US1M-13-F 是一款由知名电子元器件制造商 DIODES (美台) 出品的高效率快恢复二极管，广泛应用于电力电子、汽车、工业以及消费电子等领域。该产品的设计旨在提供出色的整流性能，同时具备优异的温度稳定性和可靠性，使其成为众多设计工程师的首选。
主要参数 US1M-13-F 的关键规格包括：
- 反向恢复时间（trr）: 75ns
- 直流反向耐压（Vr）: 1kV
- 平均整流电流（Io）: 1A
- 正向压降（Vf）: 1.7V @ 1A
- 反向泄漏电流: 5µA @ 1000V
- 工作温度范围: -65°C 到 150°C
这些参数确保了 US1M-13-F 在多种应用场合中能够稳定运行，尤其是在需要承受高电压和快速开关操作的环境中。
性能与应用 US1M-13-F 的反向恢复时间仅为 75ns，这使其在高频开关应用中表现出色。对于供电电源、DC-DC 转换器和反向电流保护电路等应用来说，这一点尤其重要，因为快速恢复特性能够有效减少开关损耗和热耗散，提升系统的整体效率。
这款二极管的直流反向耐压高达 1kV，能够抵御较高的电压冲击，对于电气噪声和瞬态电压的承受能力表现良好，保证了系统在恶劣环境下的安全性和可靠性。同时，最低的反向泄漏电流（仅 5µA @ 1kV）进一步提升了其在高精度整流应用中的适用性，降低了系统的功耗和不必要的能量损失。
封装与安装 US1M-13-F 采用表面贴装型（SMD）封装，型号为 DO-214AC/SMA。这种封装形式现今广泛应用于各种电子电路板中，允许更加紧凑的设计，有利于提高布局的灵活性以及PCB板的装配效率。此外，SMA 封装具有良好的热传导性能，为散热提供了良好的解决方案，确保二极管在高负载情况下依然保持可靠运行。
温度稳定性 US1M-13-F 工作温度范围宽广，从 -65°C 到 150°C 的工作结温设计使得在极端环境下的使用成为可能。这一点在汽车电子及工业控制应用中极为重要，因为这些应用通常面临着温度波动带来的挑战。该二极管的可靠性和耐用性确保它即使在复杂的工作条件下，也能保持出色的性能。
总结 US1M-13-F 作为一种高性能的快恢复二极管，兼具高耐压、低正向压降和优秀的热稳定性，适合多种行业的应用。其高效的整流能力和快速的响应特性使其非常适合用于电源管理、逆变器和电动汽车等日益增长的需求场景。通过选择 US1M-13-F，工程师可以有效提升设计的性能与可靠性，为实际应用提供更加坚实的保障。