STD16NF25 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD16NF25

商品编码: BM0000284085
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.475g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 100W 250V 14A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.54
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.54
--
2500+
¥3.39
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD16NF25参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)14A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)235mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)100W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)680pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STD16NF25手册

STD16NF25概述

STD16NF25 产品概述

产品简介

STD16NF25 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)制造,采用 DPAK 封装设计。在电力电子转换、开关电源和电机驱动等应用中,该器件因其卓越的性能和可靠性而广泛使用。其核心参数包括额定漏源电压 250V,连续漏极电流 14A,以及最大功率耗散能力达到 100W。这使得 STD16NF25 特别适合高电压和高电流环境中的电子设计。

主要特性

  1. 高漏源电压(Vdss):STD16NF25 具有高达 250V 的漏源电压,能够满足各种高压应用需求,适用于在各种电压条件下稳定运行。

  2. 高电流能力:在 25°C 的环境温度下,器件可以承受高达 14A 的连续漏极电流,适合多个并联使用以进一步提升功率性能。

  3. 低导通电阻(Rds(on)):在 10V 的栅源电压下,漏源导通电阻为 235mΩ(@ 6.5A),这意味着在正常工作条件下器件的功耗较小,有助于提升效率并降低热量产生。

  4. 阈值电压(Vgs(th)):栅源极阈值电压为 4V,这一参数确保该 MOSFET 在相对较低的驱动电压下即可有效工作,便于在不同的驱动电路中利用。

  5. 较大的工作温度范围:STD16NF25 在-55°C 至 150°C 的工作温度范围内均能正常运作,适合在恶劣的环境条件下使用,提升了系统的整体耐用性。

  6. 快速开关性能:该器件的栅极电荷(Qg)为 18nC(@ 10V),使其具有快速开关时间,能够在高频开关应用中保持优秀的性能。

  7. 输入电容(Ciss):STD16NF25 的最大输入电容为 680pF(@ 25V),确保其在快速切换状态下保持较低的驱动损耗。

  8. 表面贴装型设计:DPAK 封装使其能方便安装于现代电子电路板,降低了空间占用,提高了设计的灵活性。

应用场景

STD16NF25 的特点使其在以下领域具有广泛应用:

  • 开关电源(SMPS):作为主开关器件,支持充电和电力转换,高效低损耗的特性提升了电源的整体效率。

  • 电机驱动:在驱动电机时,采用其作为开关元件可以有效控制电流,确保稳定驱动并减少热损耗。

  • 电池管理系统:对电池进行充电、放电过程中的高效控制,帮助延长电池使用寿命并提高安全性。

  • 负载开关:在多种负载控制应用中,利用其良好的开关性能和瞬态响应特性,保证电路的稳定性和可靠性。

  • LED 驱动:在 LED 照明解决方案中,作为开关元件以实现高效能调光控制。

结论

综上所述,STD16NF25 是一款性能优越、应用广泛的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压、低电阻、高电流等关键参数,适应了现代电子设备日益严苛的需求。在电力电子领域的复杂场景下,STD16NF25 提供了可靠性与效能的平衡,其强大的功能使其成为设计工程师的理想选择。无论是电源管理还是电机控制,STD16NF25 都能为用户带来卓越的体验与价值。