类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,17.5A |
功率(Pd) | 80W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@48V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD35NF06LT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道MOSFET,封装形式为DPAK(TO-252-3)。本产品在各类电力电子与电源管理应用中表现出了卓越的性能,特别适用于需要高效率和低功耗的环境。
STD35NF06LT4的封装采用DPAK形式,这种表面贴装(SMT)技术使得器件能够简化焊接和集成过程,适应现代电子设备的组装要求。它的小型化封装降低了PCB空间的使用,同时提高了散热性能。
由于其优异的电气性能与广泛的工作温度范围,STD35NF06LT4广泛应用于多种领域,例如:
作为一款高性能、可靠的N沟道MOSFET,STD35NF06LT4凭借其高电流承载能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车应用中,该产品都能提供出色的性能与安全保障,帮助工程师们实现更高效的设计方案。对于追求高性能电源解决方案的工程师来说,STD35NF06LT4是理想的选择。