STD35P6LLF6 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD35P6LLF6

商品编码: BM0000284092
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.475g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 70W 60V 35A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
836(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.95
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.95
--
2500+
¥2.83
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD35P6LLF6参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5A
功率(Pd)70W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@30V输入电容(Ciss@Vds)3.78nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)170pF@25V工作温度-55℃~+175℃

STD35P6LLF6手册

STD35P6LLF6概述

STD35P6LLF6 产品概述

一、产品基本信息

STD35P6LLF6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,其设计专为需要高电流和高效率的应用场合而打造。该产品的封装形式为 DPAK(又称 TO-252-3),适合于表面贴装技术(SMT),使其在电路板上的安装更为方便,同时可有效节省空间。

二、主要特性

  1. 高电压和电流能力

    • 涉及到漏源电压(Vdss)的参数,该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V,能够承受较高的工作电压,这对于电源管理和驱动电路提供了可靠保障。同时,连续漏极电流(Id)的最大值达到 35A(在 25°C 环境下,实际情况需考虑散热),使其适用于高功率应用。
  2. 出色的导通性能

    • 漏源导通电阻(Rds(on))在 17.5A 和 10V 驱动条件下,仅为 28mΩ,说明该器件在导通状态下具有优异的低电阻特性。这不仅减少了电能在传输过程中的损耗,也降低了器件在工作时的发热量,提升了整体效率。
  3. 宽广的栅源阈值电压范围

    • 栅源极阈值电压(Vgs(th))为 2.5V @ 250μA,相对较低的阈值电压使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下操作,提升了电路设计的灵活性与兼容性。
  4. 优良的功率耗散能力

    • 本器件的最大功率耗散可达 70W(在 Tc = 25°C 的条件下),为其在高频率和高负载环境下的稳定性提供了保障。
  5. 高工作温度

    • STD35P6LLF6 的工作温度范围广泛,最高可达 175°C(TJ),使其能够在相对严苛的环境下持续运行。

三、应用场景

STD35P6LLF6 特别适用于以下几种应用场合:

  • 电源管理:在开关电源、 DC-DC 转换器等需要较高电流的电源管理模块中,可以作为功率开关使用,具备良好的高效性和可靠性。
  • 电动机驱动:在直流电动机或步进电机的驱动电路中,能够提供强大的电流,满足电动机启动和运行过程中的能量需求。
  • LED 驱动:可用于大功率 LED 照明系统的驱动,确保满足高效散热的需求。
  • 电池管理系统:适合用于对电池的充放电控制,确保在高性能情况下的安全性与稳定性。

四、技术参数总结

  • 类型: P 沟道 MOSFET
  • 封装形式: DPAK (TO-252-3)
  • 最大漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 35A (Tc)
  • 导通电阻(Rds(on)): 28mΩ @ 17.5A,10V
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250μA
  • 最大功率耗散: 70W (Tc)
  • 工作温度: 最高 175°C (TJ)
  • 驱动电压: 4.5V,10V

五、总结

STD35P6LLF6 是一款性能优越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻,在多种电子应用中均体现了其价值。设计工程师在考虑电路性能与效率时,将此器件作为一种优良选择,以满足更高的效能和热管理需求。无论是在电源管理、电动机驱动还是 LED 照明等领域,STD35P6LLF6 都展现了其强大的应用潜力。