STD35P6LLF6 产品概述
一、产品基本信息
STD35P6LLF6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,其设计专为需要高电流和高效率的应用场合而打造。该产品的封装形式为 DPAK(又称 TO-252-3),适合于表面贴装技术(SMT),使其在电路板上的安装更为方便,同时可有效节省空间。
二、主要特性
高电压和电流能力:
- 涉及到漏源电压(Vdss)的参数,该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V,能够承受较高的工作电压,这对于电源管理和驱动电路提供了可靠保障。同时,连续漏极电流(Id)的最大值达到 35A(在 25°C 环境下,实际情况需考虑散热),使其适用于高功率应用。
出色的导通性能:
- 漏源导通电阻(Rds(on))在 17.5A 和 10V 驱动条件下,仅为 28mΩ,说明该器件在导通状态下具有优异的低电阻特性。这不仅减少了电能在传输过程中的损耗,也降低了器件在工作时的发热量,提升了整体效率。
宽广的栅源阈值电压范围:
- 栅源极阈值电压(Vgs(th))为 2.5V @ 250μA,相对较低的阈值电压使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下操作,提升了电路设计的灵活性与兼容性。
优良的功率耗散能力:
- 本器件的最大功率耗散可达 70W(在 Tc = 25°C 的条件下),为其在高频率和高负载环境下的稳定性提供了保障。
高工作温度:
- STD35P6LLF6 的工作温度范围广泛,最高可达 175°C(TJ),使其能够在相对严苛的环境下持续运行。
三、应用场景
STD35P6LLF6 特别适用于以下几种应用场合:
- 电源管理:在开关电源、 DC-DC 转换器等需要较高电流的电源管理模块中,可以作为功率开关使用,具备良好的高效性和可靠性。
- 电动机驱动:在直流电动机或步进电机的驱动电路中,能够提供强大的电流,满足电动机启动和运行过程中的能量需求。
- LED 驱动:可用于大功率 LED 照明系统的驱动,确保满足高效散热的需求。
- 电池管理系统:适合用于对电池的充放电控制,确保在高性能情况下的安全性与稳定性。
四、技术参数总结
- 类型: P 沟道 MOSFET
- 封装形式: DPAK (TO-252-3)
- 最大漏源电压(Vdss): 60V
- 连续漏极电流(Id): 35A (Tc)
- 导通电阻(Rds(on)): 28mΩ @ 17.5A,10V
- 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250μA
- 最大功率耗散: 70W (Tc)
- 工作温度: 最高 175°C (TJ)
- 驱动电压: 4.5V,10V
五、总结
STD35P6LLF6 是一款性能优越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻,在多种电子应用中均体现了其价值。设计工程师在考虑电路性能与效率时,将此器件作为一种优良选择,以满足更高的效能和热管理需求。无论是在电源管理、电动机驱动还是 LED 照明等领域,STD35P6LLF6 都展现了其强大的应用潜力。