STD45NF75T4 产品实物图片
STD45NF75T4 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD45NF75T4

商品编码: BM0000284094
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 75V 40A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.18
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.18
--
2500+
¥4.01
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD45NF75T4参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)40A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)24mΩ@20A,10V
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)80nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.76nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)140pF工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STD45NF75T4手册

STD45NF75T4概述

产品概述:STD45NF75T4 N沟道MOSFET

一、产品简介

STD45NF75T4是一款高性能的N沟道MOSFET,专为电源管理和高效能电路应用而设计。这款场效应晶体管的封装形式为DPAK (TO-252-3),其最高漏源极电压为75V,能够承载高达40A的连续漏极电流,适用于各种工业和消费电子领域,显示出良好的散热性能和极低的导通电阻。

二、关键参数

  1. 封装特性: STD45NF75T4采用表面贴装(DPAK)封装,方便与其他电路元件进行紧凑配置。这种封装设计提供了更好的散热性能,适合高功率应用。

  2. 电气参数

    • 漏源极电压 (Vdss): 75V
    • 栅源电压 (Vgss): ±20V
    • 连续漏极电流 (Id): 40A(在60°C的环境条件下保持相对较低的温度,确保器件稳定性)
    • 导通电阻 (Rds(on)): 24mΩ @ 20A, 10V,使得在开关状态时能量损耗极低。
    • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA,允许在相对低电压下迅速开启。
  3. 电特性

    • 栅极电荷 (Qg): 80nC @ 10V,确保器件能够快速开关,适用于高频应用。
    • 输入电容 (Ciss): 1760pF @ 25V,配合低导通电阻,提升了设备的开关速度。
    • 功率耗散 (Pd): 最大125W,能够在高功率条件下稳定工作。
  4. 工作温度范围

    • STD45NF75T4具有广泛的工作温度范围,从-55°C到175°C,适应苛刻环境并确保长期稳定的工作表现。

三、应用领域

STD45NF75T4广泛应用于:

  • 电源管理:高频DC-DC转换器,特別是用于计算机和工业设备中的高效电源供应。
  • 马达驱动:用于电动机控制和驱动器中,以实现更高的效率和安全性。
  • 开关电源:在各种便携式设备和家电中,提升功率转换效率,降低电能损耗。
  • 照明设备:在LED驱动电路中,提供稳定的电流输出,提升光源效率和延长使用寿命。

四、总结

STD45NF75T4 N沟道MOSFET的设计意图是为用户提供一个高效、可靠的电子开关解决方案。在现代电力需求日益增长的背景下,该MOSFET不仅满足了对高电流和高电压的要求,同时通过其优越的散热和高频性能,为多种电源管理和控制应用提供了理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在新兴的电动汽车及再生能源领域,STD45NF75T4都展现出其卓越的价值。选择STD45NF75T4,可以为电子设计带来效率、可靠性及卓越性能的保证,是高性能电路设计的理想合作伙伴。