类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@20A,10V |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 80nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.76nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
一、产品简介
STD45NF75T4是一款高性能的N沟道MOSFET,专为电源管理和高效能电路应用而设计。这款场效应晶体管的封装形式为DPAK (TO-252-3),其最高漏源极电压为75V,能够承载高达40A的连续漏极电流,适用于各种工业和消费电子领域,显示出良好的散热性能和极低的导通电阻。
二、关键参数
封装特性: STD45NF75T4采用表面贴装(DPAK)封装,方便与其他电路元件进行紧凑配置。这种封装设计提供了更好的散热性能,适合高功率应用。
电气参数:
电特性:
工作温度范围:
三、应用领域
STD45NF75T4广泛应用于:
四、总结
STD45NF75T4 N沟道MOSFET的设计意图是为用户提供一个高效、可靠的电子开关解决方案。在现代电力需求日益增长的背景下,该MOSFET不仅满足了对高电流和高电压的要求,同时通过其优越的散热和高频性能,为多种电源管理和控制应用提供了理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在新兴的电动汽车及再生能源领域,STD45NF75T4都展现出其卓越的价值。选择STD45NF75T4,可以为电子设计带来效率、可靠性及卓越性能的保证,是高性能电路设计的理想合作伙伴。