STD6NF10T4

STD6NF10T4 产品概述

产品简介

STD6NF10T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足高效能和高可靠性的电源开关及电机驱动应用。这款 MOSFET 的主要参数包括 100V 的漏源电压 (Vdss) 和 6A 的连续漏极电流 (Id)，使其在功率电子领域广泛应用。

主要技术规格

1. 漏源电压 (Vdss): 该器件具有高达 100V 的漏源电压，这使得它能够在高电压电路中安全操作，适合用于电源转换器、逆变器等高压应用。

2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，STD6NF10T4 可支持的最大连续漏极电流为 6A，这意味着它能处理较高电流负载，适合用于中等功率的设备中。

3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 典型值为 4V @ 250µA。这一特性保证了 MOSFET 在相对低的栅压下便能开启，适合要求迅速切换的电路。

4. 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 250mΩ @ 3A，10V。这一低导通电阻特性实现了较低的功率损耗，进而提高了整体电源转换效率。

5. 最大功率耗散 (Pd): 在环境温度 25°C 时，最大功率耗散为 30W，这意味着该 MOSFET 能够有效散热，适合高功率应用。

6. 工作温度范围: 器件在 -65°C 至 175°C 的工作温度范围内稳定运行，适合极端环境下的应用。

7. 封装与接口: STD6NF10T4 采用 DPAK 封装形式，这种表面贴装型的设计有助于在自动化组装中实现高密度的PCB设计，并且简化了安装过程。

8. 电容及电荷特性: 输入电容 (Ciss) 最大值为 280pF @ 25V，栅极电荷 (Qg) 最大值为 14nC @ 10V，表明在驱动电路时会有较低的开关损耗，适用于快速开关应用。

应用领域

STD6NF10T4 适用于广泛的应用场景，包括但不限于：

• DC-DC 转换器: 适用于高效率的电源模块，特别是需要快速切换的场景。
• 电机驱动: 在电动工具、家电及工业自动化等应用中，确保高效且稳定的电流管理。
• 电源管理和分配: 可应用于各种消费电子产品及设备的电源管理系统中。
• 逆变器: 在太阳能逆变器及其他能源转换系统中的关键开关元件。
• 汽车电子: 尤其是电驱动、混合动力及高压系统中的重要组件。

结论

STD6NF10T4 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，结合了高压、高电流能力和优秀的开关性能，适合于多种高效能电源及驱动应用。其优异的散热性能和广泛的工作温度范围，使其成为工业和汽车电子领域的理想选择。意法半导体的这款产品在电源管理的未来将会继续发挥重要作用，为设计人员提供可靠的解决方案。