类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,3A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@25V |
工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |
STD6NF10T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足高效能和高可靠性的电源开关及电机驱动应用。这款 MOSFET 的主要参数包括 100V 的漏源电压 (Vdss) 和 6A 的连续漏极电流 (Id),使其在功率电子领域广泛应用。
漏源电压 (Vdss): 该器件具有高达 100V 的漏源电压,这使得它能够在高电压电路中安全操作,适合用于电源转换器、逆变器等高压应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,STD6NF10T4 可支持的最大连续漏极电流为 6A,这意味着它能处理较高电流负载,适合用于中等功率的设备中。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 典型值为 4V @ 250µA。这一特性保证了 MOSFET 在相对低的栅压下便能开启,适合要求迅速切换的电路。
导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 250mΩ @ 3A,10V。这一低导通电阻特性实现了较低的功率损耗,进而提高了整体电源转换效率。
最大功率耗散 (Pd): 在环境温度 25°C 时,最大功率耗散为 30W,这意味着该 MOSFET 能够有效散热,适合高功率应用。
工作温度范围: 器件在 -65°C 至 175°C 的工作温度范围内稳定运行,适合极端环境下的应用。
封装与接口: STD6NF10T4 采用 DPAK 封装形式,这种表面贴装型的设计有助于在自动化组装中实现高密度的PCB设计,并且简化了安装过程。
电容及电荷特性: 输入电容 (Ciss) 最大值为 280pF @ 25V,栅极电荷 (Qg) 最大值为 14nC @ 10V,表明在驱动电路时会有较低的开关损耗,适用于快速开关应用。
STD6NF10T4 适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
STD6NF10T4 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET,结合了高压、高电流能力和优秀的开关性能,适合于多种高效能电源及驱动应用。其优异的散热性能和广泛的工作温度范围,使其成为工业和汽车电子领域的理想选择。意法半导体的这款产品在电源管理的未来将会继续发挥重要作用,为设计人员提供可靠的解决方案。