类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19.5mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 85nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.8nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD70N10F4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件设计用于各种电源管理应用,特别是在需要高效率和高电流承载能力的场合。其卓越的电气特性和温度范围使其适合在严苛环境下运行,广泛应用于电源转换、开关电源、马达驱动和工业控制等领域。
导通电阻(Rds(on)):
栅极阈值电压(Vgs(th)):
栅极电荷(Qg):
输入电容(Ciss):
STD70N10F4广泛适用于以下领域:
STD70N10F4作为一款高性能N沟道MOSFET,凭借其出色的电气性能和适用广泛的应用场景,非常适合现代电子设计的需求。其低导通电阻、高漏源极电压和宽工作温度范围,使其成为电源管理、开关电源和马达驱动等领域理想的选择。无论在低功耗还是高功耗应用中,STD70N10F4均能保持良好的性能,满足多样化的设计需求。