STFI7N80K5

STFI7N80K5 产品概述

产品基本信息

STFI7N80K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）出品的 N 通道 MOSFET，专为高压应用设计。它具有 800V 的漏源电压（Vdss），可以在多种严苛条件下稳定工作，适合用于开关电源、逆变器及其他高压电源管理设备。该 MOSFET 在工作时具备出色的导通能力与热管理，提供高效能的电流控制和功率转换。

关键参数

• 漏源电压 (Vdss): 800V，这使得 STFI7N80K5 适合应用于高压场合，例如工业电源系统及家用电器。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下的连续电流为 6A（Tc），能够承受较大的负载电流，而且在合理的散热条件下，仍能保持稳定工作。
• 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动下，最大导通电阻为 1.2Ω@3A，这意味着在正常工作状态下有较低的功耗与发热，进而提升能效。
• 驱动电压: 最大的栅源电压不超过 ±30V，确保使用中不会因过电压而导致损坏。
• 门阈电压 (Vgs(th)): 最大值为 5V@100µA，这指出了MOSFET开始导通的最低栅源电压，便于高效控制。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 13.4nC@10V，这影响开关速度，较低的栅电荷使得驱动电路更加高效。
• 输入电容 (Ciss): 在 100V 条件下，最大为 360pF，进一步确保其在高频开关应用中的性能表现。

性能和应用场景

STFI7N80K5 具备25W的功率耗散能力，适用于多种电源管理应用。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其能够在极端环境下运行，十分适合航空航天、汽车和工业设备等要求苛刻的场合。

由于其高电压承受能力与低导通电阻的特性，STFI7N80K5 常用于构建高效的开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器和其他需要精确控制电流的应用。此外，该器件适应多种工作模式，包括脉冲模式和线性模式，使其在不同的设备中均能发挥作用。

封装和安装

该 MOSFET 使用 TO-262-3 整包（I²Pak）封装，具有良好的散热性能和适配性，适合于通孔安装。通过这个封装，STFI7N80K5 能够在较高的功率水平下稳定工作，同时便于有限空间的布局设计还有助于系统的整体结构优化。

总结

STFI7N80K5 是一款具备高压和高效能的 N 通道 MOSFET，融合了灵活的操作特性与广泛的应用潜力。其快速响应能力、低功耗特性以及高耐久度，让其成为许多高效电源设计中的理想选择。无论是在工业设备、家电还是新能源汽车中，STFI7N80K5 都能够为设计提供稳定可靠的解决方案。意法半导体凭借其卓越的技术与质量保障，使得 STFI7N80K5 成为高压电子元件领域中一款备受推崇的产品。