类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3mΩ@45A,10V |
功率(Pd) | 200W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 96nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.34nF@40V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP140N8F7 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 N 沟道 MOSFET,它采用了 TO-220-3 封装,具备卓越的电气性能和热特性,特别适用于高功率应用。此元件在多个行业中展现出优越的可靠性和效率,广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器、模块式电源和其他高功率产品。
该 MOSFET 采用现代化的制造工艺,具有突出的高频性能和低通态损耗。这使得 STP140N8F7 在开关模式电源、DC-DC 转换器等应用中极具优势。同时,TO-220 封装提供了良好的热管理性能,适合需要连接散热器的高功率电路设计。
STP140N8F7 在许多领域都有广泛的应用,包括:
STP140N8F7 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,其高电压、高电流和优异的热管理特性使其成为各种高效电源设计中的理想选择。凭借其可靠性和高效性,STP140N8F7 为设计工程师提供了灵活性和高效能,是实现动力管理和电力转换的理想解决方案。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,STP140N8F7 都能够满足严苛的电气性能需求,助力设计师实现他们的创新目标。