类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 26A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,12A |
功率(Pd) | 85W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 870pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF | 工作温度 | -40℃~+175℃ |
STP24NF10 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TO-220-3 封装,适合各类电力电子应用。凭借其卓越的电气特性和耐高温性能,STP24NF10 是高效开关电源、直流-直流转换器、电机驱动和其他功率管理系统的理想选择。
电压和电流能力: STP24NF10 的漏源极电压(Vdss)为 100V,连续漏极电流(Id)高达 26A(在额定的芯片温度 Tc 下)。这种设计使其能够承受高电压和较大电流,适用于大量功率需求的应用,提供了良好的电力处理能力。
导通电阻: 在 Vgs 为 10V(栅源电压)时,STP24NF10 的最大导通电阻(Rds(on))为 60 毫欧,这在进行开关操作时能够极大地降低功耗,提高整体系统效率。此特性在高频开关应用中显得尤为重要,能减少不必要的能量损耗,提升热管理。
栅极驱动特性: 该 MOSFET 在不同的 Id 和 Vgs 条件下具有优良的栅极电荷特性。在 Vgs 为 10V 时,其最大栅极电荷(Qg)为 41 nC。这种低栅极电荷的特性允许更高的开关频率,适合需要快速开关控制的应用场合,如开关电源和其他高频电子电路。
热管理能力: STP24NF10 最大功率耗散为 85W,适合高功率应用。其工作的温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,确保在苛刻环境下的可靠运行。这种极高的耐温性能使得该元件能够在高温工业环境或极端气候条件下稳定使用。
封装和安装: 采用 TO-220-3 型封装,STP24NF10 适合通孔安装(THT),便于在不同的电路板和设备中集成。TO-220 封装提供良好的散热性能和施工便利,特别适合需要更高散热效率的场合。
STP24NF10 广泛应用于诸如:
STP24NF10 是一款高度集成的 N 沟道 MOSFET,结合高电压、高电流能力及良好的热性能,使其成为众多电力电子设计的俊雄。在现代电子技术不断发展和应用日益广泛的背景下,STP24NF10 提供了可靠的解决方案,助力各类电气设备实现高效能与高可靠性的设计需求,的确是电力电子工程师桌上的一颗明星元件。无论是在专业领域的高档次应用还是在普通民用设备中,STP24NF10 都展现出了它的广泛适用性和极高的性价比。