STP4NK60ZFP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP4NK60ZFP

商品编码: BM0000284145
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
2.6g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 25W 600V 4A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
1084(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2
--
1000+
¥1.85
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP4NK60ZFP参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7Ω@10V,2A
功率(Pd)25W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)510pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@25V工作温度-55℃~+150℃

STP4NK60ZFP手册

STP4NK60ZFP概述

STP4NK60ZFP 产品概述

产品背景

STP4NK60ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件以其出色的电学特性和可靠的性能,广泛应用于电源转换、逆变器、电动机驱动以及各种电能控制应用中,使其在现代电子产品中发挥着关键作用。

主要参数

STP4NK60ZFP 的主要电气参数包括:

  • 漏源电压(Vds):600V,适用于高压环境,满足各种工业和消费电子产品的需求。
  • 连续漏极电流(Id):25°C 时为 4A,提供稳定的性能,以应对持续的电流需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):4.5V @ 50µA,保证器件在较低的控制电压下即可正常导通。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):2Ω @ 2A,10V,低导通电阻意味着更低的功耗和热量产生,提升系统效率。
  • 最大功率耗散(Pd):25W(在 Tc=25°C 时),保证在适宜的散热条件下,能够承受较大的功率负载。
  • 工作温度范围:工作温度最高可达 150°C(TJ),这使得该器件具备了较强的温度适应能力。

封装与安装

STP4NK60ZFP 采用了 TO-220FP 封装,便于通过通孔安装,适合各种电路板设计。TO-220 封装提供良好的散热性能,能够保证器件在高功率应用中的稳定运行。整包封装设计提升了机械强度及电气连接的可靠性,是众多工业应用场合的理想选择。

工作特点

该 MOSFET 的栅极电荷(Qg)是在 10V 驱动条件下最大值为 26nC,表明在开关应用中控制电路的驱动要求较低,从而提高了系统的整体效率。此外,输入电容 (Ciss) 最大值为 510pF @ 25V,此特性使得该器件在高频应用时表现良好,有利于提升电路的响应速度。

应用领域

STP4NK60ZFP 的应用范围广泛,主要包括:

  • 开关电源:在电源转换器中用于高压开关,提供良好的能量传输效率。
  • 电动机控制:在电动机驱动电路中,能够有效控制马达的启动、停止及调速功能。
  • 家电产品:可用于控制冰箱、空调、洗衣机等家电产品中的电机与加热元件。
  • 工业自动化:在各类工业控制系统中,进行负载开关与功率调节。

结论

STP4NK60ZFP 是一款具有优越电气特性、合理功耗和扩展性强的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高效能电源管理和电机驱动应用。其低导通电阻、宽工作温度范围以及高耐压特性,使其在电子和电气工程领域具备广泛的市场前景。选择 STP4NK60ZFP,能够帮助设计师和工程师降低元件损耗,提高系统的整体性能,满足日益增长的电子产品需求。