类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7Ω@10V,2A |
功率(Pd) | 25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP4NK60ZFP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件以其出色的电学特性和可靠的性能,广泛应用于电源转换、逆变器、电动机驱动以及各种电能控制应用中,使其在现代电子产品中发挥着关键作用。
STP4NK60ZFP 的主要电气参数包括:
STP4NK60ZFP 采用了 TO-220FP 封装,便于通过通孔安装,适合各种电路板设计。TO-220 封装提供良好的散热性能,能够保证器件在高功率应用中的稳定运行。整包封装设计提升了机械强度及电气连接的可靠性,是众多工业应用场合的理想选择。
该 MOSFET 的栅极电荷(Qg)是在 10V 驱动条件下最大值为 26nC,表明在开关应用中控制电路的驱动要求较低,从而提高了系统的整体效率。此外,输入电容 (Ciss) 最大值为 510pF @ 25V,此特性使得该器件在高频应用时表现良好,有利于提升电路的响应速度。
STP4NK60ZFP 的应用范围广泛,主要包括:
STP4NK60ZFP 是一款具有优越电气特性、合理功耗和扩展性强的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高效能电源管理和电机驱动应用。其低导通电阻、宽工作温度范围以及高耐压特性,使其在电子和电气工程领域具备广泛的市场前景。选择 STP4NK60ZFP,能够帮助设计师和工程师降低元件损耗,提高系统的整体性能,满足日益增长的电子产品需求。