类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@2.7V,3A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.5nC@16V | 输入电容(Ciss@Vds) | 640pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 68pF@15V | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
STS6NF20V 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气特性和热性能,适用于多种电子应用。此器件在功率管理、开关电源、高效照明和马达驱动等领域展现出优越的性能。其设计和制造过程确保了卓越的可靠性和长期稳定性。
STS6NF20V 的漏源电压为 20V,适合于低电压应用。该器件在 25°C 时的连续漏极电流可达 6A,确保其在不同应用场景下具有足够的电流承载能力。其栅源极阈值电压为 600mV,意味着在低电压下即可驱动元件,并实现良好的开关性能。
漏源导通电阻为 40mΩ,这使得设备在工作时的能效表现优异,降低了发热量,从而提高系统的稳定性。器件的最大功率耗散为 2.5W,这对于相关设计者来说,意味着在合理的散热方案下,该 MOSFET 可以在高负载情况下运行。
STS6NF20V 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:
该 MOSFET 的工作温度范围高达 150°C,显示了其在严苛环境下的运行能力。使用合适的散热设计,STS6NF20V 能够有效地散热,保持其性能不受影响。这一特性在电机控制和高能量密度开关电源等高负荷应用中特别重要。
STS6NF20V 采用表面贴装型封装(SO-8),这使得其适合于现代电子设备的紧凑设计,提高了PCB的空间利用率。SO-8 封装还提供了优秀的散热性能,帮助器件在高功率下维持稳定工作。
STS6NF20V 是一款先进的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、热性能和多样的应用场景,无疑是设计师在低电压高电流应用中的理想选择。其凭借意法半导体强大的技术背景和可靠的产品质量,定能满足客户在各种高效能电源和控制应用中的需求。无论是在电源管理、马达驱动还是高效照明等领域,STS6NF20V 都是一款值得信赖的选择。