STW13NK100Z 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STW13NK100Z

商品编码: BM0000284167
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.985g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350W 1kV 13A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
12.34
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.34
--
600+
¥11.98
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STW13NK100Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)13A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@10V,6.5A
功率(Pd)350W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@150uA
栅极电荷(Qg@Vgs)266nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)100pF@25V工作温度-55℃~+150℃

STW13NK100Z手册

STW13NK100Z概述

STW13NK100Z 产品概述

STW13NK100Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件专为高电压和大电流应用设计,具有卓越的导通性能和良好的热管理能力,广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等领域。

主要技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): 1000V

    • STW13NK100Z 可在高达 1000V 的极高电压下稳定工作,适合用于高压开关电源、变换器及其他高压应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 13A (Tc)

    • 在 25°C 的环境下,该 MOSFET 能持续承载的漏极电流高达 13A,提供了较高的电流承载能力,适用于负载较大的电气设备。
  3. 导通电阻(Rds(on)): 700mΩ @ 6.5A, 10V

    • 其低导通电阻特性意味着在处理较高电流时,其功率损耗小,提升了电路效率并降低了功率发热,进而提高了系统的可靠性和稳定性。
  4. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 150µA

    • 较低的栅极驱动电压使得 STW13NK100Z 可快速开关,减少开关损耗,提高系统性能。
  5. 栅极电荷(Qg): 266nC @ 10V

    • 该值反映了其在开关操作中的响应速度,较低的栅极电荷可以让 MOSFET 在高频开关应用中表现良好。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)

    • STW13NK100Z 具备宽广的工作温度范围,确保其在各种严苛环境下的可靠性,使其在极端温度条件下仍然能够稳定工作。
  7. 功率耗散(Pd): 350W (Tc)

    • 该器件在较高环境温度及负载条件下具有出色的功率处理能力,适合用于高功率电源设计。
  8. 封装类型: TO-247-3

    • TO-247 封装设计确保了良好的散热特性,适合于需要高功率和高电流的应用,使安装和散热变得更加高效。

典型应用

STW13NK100Z 强大的性能使其在许多应用场合中大显身手,包括但不限于:

  • 开关电源: 高压和高效能的电源转换器,以及逆变器。
  • 工业控制: 用于电机驱动和控制器设计,提供高压保护和高电流输出。
  • 电动汽车: 适合用于电池管理系统和电动机驱动的高效控制。
  • 变频器: 在各种工业应用中对电机变频控制提供支持,提升能效。

总结

STW13NK100Z 是一款性能卓越、功能丰富的 N 沟道 MOSFET,它凭借其高额的电压、电流处理能力和低导通电阻,适合于苛刻的电气环境,具有极高的应用价值。无论是在电源设计、工业控制还是电动汽车领域,STW13NK100Z 都为现代电子设备提供了理想的解决方案。选择 STW13NK100Z,即是选择了一款高效能、高可靠性的 MOSFET,能够满足未来多变的科技需求。