类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1kV |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 700mΩ@10V,6.5A |
功率(Pd) | 350W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 266nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW13NK100Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件专为高电压和大电流应用设计,具有卓越的导通性能和良好的热管理能力,广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等领域。
漏源电压(Vdss): 1000V
连续漏极电流(Id): 13A (Tc)
导通电阻(Rds(on)): 700mΩ @ 6.5A, 10V
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 150µA
栅极电荷(Qg): 266nC @ 10V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
功率耗散(Pd): 350W (Tc)
封装类型: TO-247-3
STW13NK100Z 强大的性能使其在许多应用场合中大显身手,包括但不限于:
STW13NK100Z 是一款性能卓越、功能丰富的 N 沟道 MOSFET,它凭借其高额的电压、电流处理能力和低导通电阻,适合于苛刻的电气环境,具有极高的应用价值。无论是在电源设计、工业控制还是电动汽车领域,STW13NK100Z 都为现代电子设备提供了理想的解决方案。选择 STW13NK100Z,即是选择了一款高效能、高可靠性的 MOSFET,能够满足未来多变的科技需求。