STW18NM80

STW18NM80 产品概述

STW18NM80 是一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该产品专为高电压和高电流应用而设计，具有出色的电气性能和热特性，适合广泛的电子应用场景。

主要规格

• 漏源电压 (Vdss): 800V
• 连续漏极电流 (Id): 17A（在 Tc = 25°C 下）
• 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 250µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 295mΩ @ 8.5A, 10V
• 最大功率耗散: 190W（在 Ta = 25°C 时）
• 工作温度: 可达150°C（最大结温 TJ）
• 封装类型: TO-247-3

产品特性

STW18NM80 采用金属氧化物半导体技术，具备优良的导通性能和低导通损耗，适用于高频开关电源、电机驱动、PSU（电源单元）和其他高效能的电力电子设备。其漏源电压为 800V，适合在高电压环境下安全可靠地工作，同时，17A 的连续漏极电流确保了其在高负载条件下的稳定性。

该器件的栅源阈值电压为 5V，意味着在中等驱动电压下即可实现开关操作，从而提升了系统的适应性和设计灵活性。其漏源导通电阻（Rds(on)）的最大值为 295mΩ，这在低电流下保持较低的热损耗，有助于提高整体系统的能效。

应用场景

STW18NM80 广泛应用于工业、汽车电子和消费电子领域。它适合用于开关电源、DC-DC 转换器、照明驱动、太阳能逆变器及其他电力电子设备。在这些应用中，该 MOSFET 能够高效处理大量电流，同时保持低发热，增强器件的可靠性。

热管理与封装

该 MOSFET 的最大功率耗散为 190W，强调了其在高负载应用中出色的热管理能力。TO-247-3 封装设计提供了良好的散热性能，可以有效降低器件的结温，保证在高温环境下的稳定运行。此外，产品的工作温度范围可达 150°C，适合在高温环境中长期使用。

驱动特性

在推动此 MOSFET 时，设计者需为栅极提供足够的电压驱动，以确保其正常工作。最大驱动电压为 ±30V，在大多数应用中都可以轻松实现。栅极电荷量 (Qg) 为 70nC，使得驱动电路设计相对简单，且能够在高频率应用中高效切换。

综述

总的来说，STW18NM80 是一款强大的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻的特性，使其在现代电子设计中具有极大的吸引力。无论是在功率转换、驱动电路还是开关电源中，其卓越性能都能满足苛刻的应用需求，为设计师提供了理想的工作条件和高度的灵活性。选择 STW18NM80，将使得您的设计在效率和可靠性上都迈入新的高度。