类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 295mΩ@10V,8.5A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
STW18NM80 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(场效应管),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该产品专为高电压和高电流应用而设计,具有出色的电气性能和热特性,适合广泛的电子应用场景。
STW18NM80 采用金属氧化物半导体技术,具备优良的导通性能和低导通损耗,适用于高频开关电源、电机驱动、PSU(电源单元)和其他高效能的电力电子设备。其漏源电压为 800V,适合在高电压环境下安全可靠地工作,同时,17A 的连续漏极电流确保了其在高负载条件下的稳定性。
该器件的栅源阈值电压为 5V,意味着在中等驱动电压下即可实现开关操作,从而提升了系统的适应性和设计灵活性。其漏源导通电阻(Rds(on))的最大值为 295mΩ,这在低电流下保持较低的热损耗,有助于提高整体系统的能效。
STW18NM80 广泛应用于工业、汽车电子和消费电子领域。它适合用于开关电源、DC-DC 转换器、照明驱动、太阳能逆变器及其他电力电子设备。在这些应用中,该 MOSFET 能够高效处理大量电流,同时保持低发热,增强器件的可靠性。
该 MOSFET 的最大功率耗散为 190W,强调了其在高负载应用中出色的热管理能力。TO-247-3 封装设计提供了良好的散热性能,可以有效降低器件的结温,保证在高温环境下的稳定运行。此外,产品的工作温度范围可达 150°C,适合在高温环境中长期使用。
在推动此 MOSFET 时,设计者需为栅极提供足够的电压驱动,以确保其正常工作。最大驱动电压为 ±30V,在大多数应用中都可以轻松实现。栅极电荷量 (Qg) 为 70nC,使得驱动电路设计相对简单,且能够在高频率应用中高效切换。
总的来说,STW18NM80 是一款强大的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻的特性,使其在现代电子设计中具有极大的吸引力。无论是在功率转换、驱动电路还是开关电源中,其卓越性能都能满足苛刻的应用需求,为设计师提供了理想的工作条件和高度的灵活性。选择 STW18NM80,将使得您的设计在效率和可靠性上都迈入新的高度。