晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 150mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1mA,6V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA,5mA |
UMX1NTN 是一款由ROHM(罗姆)公司生产的高性能NPN型晶体管,采用6-TSSOP封装设计,具有多种应用优势和卓越的电气特性。该产品特别适合于需要高效率和高频操作的电子电路,包括但不限于开关电源,信号处理和音频放大等场景。
额定功率: UMX1NTN 的额定功率为150mW,使其能够在较高的功率条件下稳定工作,适合中小功率应用。
集电极电流 (Ic): 该晶体管的集电极电流最大值为150mA,这使其能够处理一定范围内的负载电流,适合多种电路设计需求。
集射极击穿电压 (Vce): UMX1NTN 的集射极击穿电压最大值为50V,保证了在高电压环境下的安全操作,避免因过压而导致的器件损坏。
饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,饱和压降最大可达400mV(在5mA和50mA时测得),这对于高效率电源开关应用尤为重要。
截止电流 (ICBO): 该器件的截止电流最大值为100nA,表明其在关断状态下具有非常低的漏电流,提升了电路的整体能效。
直流电流增益 (hFE): 不同的集电极电流和集射极电压下,该三极管的直流电流增益最小值为120(在1mA和6V情况下测得),确保在信号放大应用中的良好性能。
频率特性: UMX1NTN 在高达180MHz的频率跃迁性能使其适合大多数高频应用,能够满足信号处理和通信领域的需求。
工作温度: 该晶体管的工作温度范围为150°C(TJ),适合在高温环境下工作,保证了设备的可靠性和稳定性。
封装类型: UMX1NTN 使用6-TSSOP封装(UMT6),以表面贴装(SMD)形式提供,提升了PCB布局的灵活性和节省空间的能力。
UMX1NTN凭借其优良的电气特性,适用于多种应用场景,包括但不限于:
UMX1NTN 是一款功能强大且多用途的NPN型晶体管,凭借其小巧的SOT-363封装和出色的电气性能,能够满足各种现代电子设备中的高效能需求。无论是在家用电器、汽车电子还是通信设备中,该产品均显示出极高的可靠性和应用价值。ROHM在提供高质量半导体产品方面的专业能力,使得UMX1NTN成为设计工程师构建创新解决方案的理想选择。