STP4NK80Z 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP4NK80Z

商品编码: BM0000284316
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.78g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 80W 800V 3A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.95
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.95
--
1000+
¥1.81
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP4NK80Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,1.5A
功率(Pd)80W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)575pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP4NK80Z手册

STP4NK80Z概述

STP4NK80Z 产品概述

1. 产品简介

STP4NK80Z是一款高性能N沟道MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。这款MOSFET的主要特点包括高漏源电压、适中的连续漏极电流能力和较低的导通电阻,使其在各种应用中表现出色。STP4NK80Z采用TO-220AB封装,便于散热和安装,适用于工业、消费电子及汽车等多个领域。

2. 主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 3A(在25°C下,气候条件条件下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 50µA
  • 漏源导通电阻(Rds On): 3.5Ω @ 1.5A,10V
  • 输入电容(Ciss): 575pF @ 25V
  • 栅极电荷(Qg): 22.5nC @ 10V
  • 最大功率耗散: 80W(在25°C条件下)
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 封装类型: TO-220AB

3. 应用场景

STP4NK80Z因其高耐压、可靠的电流承载能力和高功率处理能力,广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 适用于高电压和高频率的开关电源,能够有效提高电源效率,降低电磁干扰(EMI)。
  • 电机驱动: 在电机控制应用中,STP4NK80Z可用于驱动大功率电机,适合应用于自动化设备和工业机器人中。
  • 家电控制: 利用其高压特性,适合用于各种家用电器的开关控制,如洗衣机、微波炉等。
  • 照明控制: 能够作为LED驱动和调节电路的开关元件,提高照明系统的稳定性和效率。

4. 性能优势

  • 高耐压: 800V的漏源电压,能够满足高压应用需求,使其在各种电力电子应用中表现优异。
  • 低导通电阻: 3.5Ω的低导通电阻减小了在开关状态下的功率损耗,提高效率并降低热量产生。
  • 良好的热特性: 最大功率耗散能力为80W,确保器件在高负载运行时保持稳定,有效延长其使用寿命。
  • 宽工作温度范围: -55°C至150°C的宽范围适合恶劣环境下的使用,增加了应用的灵活性。

5. 封装与安装

STP4NK80Z采用TO-220AB封装,具有较好的散热性能,方便通孔安装,适合于PCB板上的高功率应用。此类封装不仅提升了电气和热性能,而且也简化了系统设计与组装过程,适合需长时间稳定工作的电子设备。

6. 总结

STP4NK80Z是一款设计先进、性能优越的N沟道MOSFET,因其高压、高效率及宽广的适用环境,成为现代电力电子设计者的理想选择。无论是在开关电源、工业电机驱动还是现代家电控制领域,STP4NK80Z都能提供可靠的解决方案,能够帮助工程师实现更高性能的电路设计,满足日益增长的电子产品性能和设计要求。