类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,1.5A |
功率(Pd) | 80W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 575pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STP4NK80Z是一款高性能N沟道MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。这款MOSFET的主要特点包括高漏源电压、适中的连续漏极电流能力和较低的导通电阻,使其在各种应用中表现出色。STP4NK80Z采用TO-220AB封装,便于散热和安装,适用于工业、消费电子及汽车等多个领域。
STP4NK80Z因其高耐压、可靠的电流承载能力和高功率处理能力,广泛应用于以下领域:
STP4NK80Z采用TO-220AB封装,具有较好的散热性能,方便通孔安装,适合于PCB板上的高功率应用。此类封装不仅提升了电气和热性能,而且也简化了系统设计与组装过程,适合需长时间稳定工作的电子设备。
STP4NK80Z是一款设计先进、性能优越的N沟道MOSFET,因其高压、高效率及宽广的适用环境,成为现代电力电子设计者的理想选择。无论是在开关电源、工业电机驱动还是现代家电控制领域,STP4NK80Z都能提供可靠的解决方案,能够帮助工程师实现更高性能的电路设计,满足日益增长的电子产品性能和设计要求。