STP9NK60ZFP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP9NK60ZFP

商品编码: BM0000284319
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
2.28g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 600V 7A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.61
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.61
--
1000+
¥2.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP9NK60ZFP参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)950mΩ@10V,3.5A
功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)53nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.11nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP9NK60ZFP手册

STP9NK60ZFP概述

STP9NK60ZFP 产品概述

一、产品简介

STP9NK60ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,专门设计用于需要高电压、高电流及高效率的电源管理和开关应用。其最大漏源电压为600V,额定连续漏极电流为7A(在25°C时),为用户提供了卓越的性能和可靠性。

二、主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 7A @ Tc(25°C)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th): 4.5V @ 100µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on): 950mΩ @ 3.5A, 10V
  • 驱动电压: 10V(最大 Rds On)
  • 栅极电荷(Qg): 53nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 1110pF @ 25V
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 最大功率耗散: 30W @ Tc (25°C)
  • 封装类型: TO-220-3 整包
  • 安装方式: 通孔

三、产品特点

  1. 高压能力: STP9NK60ZFP 具备 600V 的高漏源电压,适合用于交流、直流电源转换和高压驱动应用。

  2. 低导通电阻: 950mΩ 的导通电阻在 3.5A 下提供更低的功耗,从而提高整体电能效率,降低热量生成,延长电路的使用寿命。

  3. 优越的开关特性: 栅极电荷(Qg)为 53nC,结合快速切换特性,使其在高频开关应用中表现出色,适合用于开关电源、逆变器及马达驱动器。

  4. 宽工作温度范围: 该器件工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其能在极限环境下稳定运行,宽广的工作温度使其在诸多工业和消费类应用中均能保持性能稳定。

  5. 理想的封装设计: TO-220FP 封装不仅适合强散热应用,同时支持方便的通孔安装,易于集成入多种电路设计中。

四、应用场景

STP9NK60ZFP 广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 能够提供高效率和低损耗的电源转换,适用于各种电源供应设备。

  • 马达驱动器: 优异的耐压和电流能力,使其适合用于电动机控制器和驱动电路。

  • 逆变器: 适用于太阳能逆变器和其他类型的 DC-AC 逆变器,提供高电压输出。

  • 高频开关应用: 高速开关能力和低栅极电荷使其在高频电路中表现良好,提高转换效率。

五、结论

STP9NK60ZFP 是一款功能强大且可靠的 N 沟道 MOSFET,集合了高电压、高电流处理能力和出色的热性能,适合在各种电力电子应用中使用。用户在选择此款器件时,将获得更高的设计灵活性与可靠性,为产品的性能提升奠定基础。凭借意法半导体的品牌声誉和持续的技术创新,STP9NK60ZFP 也致力于满足市场对于节能环保和高效能电源管理的需求。