类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V,3.5A |
功率(Pd) | 30W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 53nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.11nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STP9NK60ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,专门设计用于需要高电压、高电流及高效率的电源管理和开关应用。其最大漏源电压为600V,额定连续漏极电流为7A(在25°C时),为用户提供了卓越的性能和可靠性。
高压能力: STP9NK60ZFP 具备 600V 的高漏源电压,适合用于交流、直流电源转换和高压驱动应用。
低导通电阻: 950mΩ 的导通电阻在 3.5A 下提供更低的功耗,从而提高整体电能效率,降低热量生成,延长电路的使用寿命。
优越的开关特性: 栅极电荷(Qg)为 53nC,结合快速切换特性,使其在高频开关应用中表现出色,适合用于开关电源、逆变器及马达驱动器。
宽工作温度范围: 该器件工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其能在极限环境下稳定运行,宽广的工作温度使其在诸多工业和消费类应用中均能保持性能稳定。
理想的封装设计: TO-220FP 封装不仅适合强散热应用,同时支持方便的通孔安装,易于集成入多种电路设计中。
STP9NK60ZFP 广泛应用于以下领域:
开关电源(SMPS): 能够提供高效率和低损耗的电源转换,适用于各种电源供应设备。
马达驱动器: 优异的耐压和电流能力,使其适合用于电动机控制器和驱动电路。
逆变器: 适用于太阳能逆变器和其他类型的 DC-AC 逆变器,提供高电压输出。
高频开关应用: 高速开关能力和低栅极电荷使其在高频电路中表现良好,提高转换效率。
STP9NK60ZFP 是一款功能强大且可靠的 N 沟道 MOSFET,集合了高电压、高电流处理能力和出色的热性能,适合在各种电力电子应用中使用。用户在选择此款器件时,将获得更高的设计灵活性与可靠性,为产品的性能提升奠定基础。凭借意法半导体的品牌声誉和持续的技术创新,STP9NK60ZFP 也致力于满足市场对于节能环保和高效能电源管理的需求。