晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 500V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@50mA,10V | 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@20mA,2mA | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STR2550 由意法半导体(STMicroelectronics)制造,是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),专为需要高电压和电流处理能力的应用而设计。该晶体管在许多电子电路中具有广泛的应用,如开关电源、电机驱动、信号放大及其他高效能电路。
STR2550 的主要电气参数如下:
高耐压与高电流特性: STR2550 提供高达500V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流,非常适合高压、大电流的应用场合。这使得它在供应电流和电压变化较大的系统中能保持良好的稳定性。
低饱和压降: 该元件在 10mA 和 50mA 的工作条件下,Vce饱和压降仅为300mV,体现了良好的导通特性。这对低功耗电路尤为重要,可以有效降低功耗,提升整个电路的能效。
优越的电流增益: STR2550 的直流电流增益 (hFE) 达到100,进一步推动了其在信号放大器应用中的表现,提高了传输信号的效率。
宽工作温度范围: 该晶体管可在高达150°C的环境中稳定工作,广泛适用于高温环境和工业级应用,使其在多个领域的执行表现都非常出色。
STR2550 三极管在电子设备中有多种广泛应用,具体包括但不限于:
STR2550 采用SOT-23封装,其表面贴装设计使得它能够在现代电子产品中实现更高密度的布局。SOT-23封装已成为许多小型电子组件标准,因此,STR2550 可以方便地与其他表面贴装器件结合使用。在设计电路时,合理规划PCB布局能够最大程度上减少寄生参数影响,从而提高信号完整性。
总之,STR2550 是一款高效、稳定且耐用的PNP型三极管,适合多个应用场景。从其强大的电流处理能力、高耐压特性到较低的功耗表现,STR2550 在设计高效的电子设备时值得推荐,是设计师求助于高效、高性能元器件时的优选之一。无论是在消费电子、工业应用,还是专业设备中,STR2550 都显示出极大的适用性和可靠性。