类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 60W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 130pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.6pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
STU3N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道MOSFET场效应管,具备高压、高功率能力,设计用于高效能电子电路中的开关和放大应用。该器件的主要特点包括:最大漏源电压为800V、连续漏极电流为2.5A,以及具有优秀的热管理和电流处理能力,适合在高温和恶劣环境中工作。
二、关键参数
三、应用领域
STU3N80K5广泛应用于多个领域,主要包括:
四、性能优势
STU3N80K5凭借其高电压与高功率处理能力,相比于同类产品,具备更强的耐受性与稳定性,能够有效减少系统故障率。这使得其在高负载工作环境下依然能保持良好的工作性能。而其较低的导通电阻和输入电容,不仅可以显著降低能量损耗,还提高了电路的工作效率。
五、结论
综上所述,STU3N80K5是一款非常适合于高压和高功率应用的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围及多样的应用场景,成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件。无论是在创新型电源设备,还是在严苛的工业环境中,STU3N80K5都表现出色,是设计工程师在选择高效能元件时的重要选择。